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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > 2N7002ET1G

2N7002ET1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/9 18:20:28 查看 閱讀�24

2N7002ET1G 是一� N 沱道增強� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。它被廣泛用于模擬和�(shù)字電路中,作為開�(guān)或放大器�。這款 MOSFET 具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和良好的溫度�(wěn)定性等特�,適用于多種�(yīng)用場��
  該器件的工作電壓范圍�,能夠承受較高的漏源電壓,同時具備較小的封裝尺寸,便于在緊湊型設(shè)計中使用。由于其出色的性能和可靠��2N7002ET1G 成為許多工程師在�(shè)計低壓、小信號�(yīng)用場景時的首選元器件�

參數(shù)

類型:N 沱道增強� MOSFET
  漏源電壓 (VDS)�60 V
  柵源電壓 (VGS):�20 V
  漏極電流 (ID)�300 mA
  輸入電容 (Ciss)�45 pF
  輸出電容 (Coss)�10 pF
  反向傳輸電容 (Crss)�1.8 pF
  �(dǎo)通電� (Rds(on))�2.9 Ω
  功� (Ptot)�400 mW

特�

2N7002ET1G 的主要特性包括以下幾點:
  1. 低導(dǎo)通電�,確保在�(dǎo)通狀�(tài)下具有較低的功率損耗�
  2. 高開�(guān)速度,非常適合高頻應(yīng)��
  3. 小型封裝,適合空間受限的�(shè)計環(huán)��
  4. 較高的漏源擊穿電�,增強了器件在高壓環(huán)境中的適�(yīng)能力�
  5. 工作溫度范圍寬廣 (-55°C � +150°C),能夠在極端�(huán)境下保持�(wěn)定運行�
  6. 良好的靜電防護能�,降低了� ESD �(dǎo)致的失效風險�
  這些特點� 2N7002ET1G 在各種電子設(shè)備中表現(xiàn)出色,特別是在需要高效能與可靠性的場景下�

�(yīng)�

2N7002ET1G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源� DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流開關(guān)�
  2. 電池保護電路,用于防止過充或過放�
  3. 消費類電子產(chǎn)品中的負載開�(guān)控制�
  4. 信號切換和緩沖電�,例如音頻信號處��
  5. �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的線路驅(qū)動和接收�
  6. 電機�(qū)動電路中的開�(guān)元件�
  由于其多功能性和高性能�2N7002ET1G 可以滿足從簡單到�(fù)雜的不同�(yīng)用需求�

替代型號

2N7002KM, BSS138, PMV40EN

2n7002et1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

2n7002et1g資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
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2n7002et1g參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C260mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.5 歐姆 @ 240mA�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs0.81nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds26.7pF @ 25V
  • 功率 - 最�300mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱2N7002ET1G-ND2N7002ET1GOSTR