2N7002ET1G 是一� N 沱道增強� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。它被廣泛用于模擬和�(shù)字電路中,作為開�(guān)或放大器�。這款 MOSFET 具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和良好的溫度�(wěn)定性等特�,適用于多種�(yīng)用場��
該器件的工作電壓范圍�,能夠承受較高的漏源電壓,同時具備較小的封裝尺寸,便于在緊湊型設(shè)計中使用。由于其出色的性能和可靠��2N7002ET1G 成為許多工程師在�(shè)計低壓、小信號�(yīng)用場景時的首選元器件�
類型:N 沱道增強� MOSFET
漏源電壓 (VDS)�60 V
柵源電壓 (VGS):�20 V
漏極電流 (ID)�300 mA
輸入電容 (Ciss)�45 pF
輸出電容 (Coss)�10 pF
反向傳輸電容 (Crss)�1.8 pF
�(dǎo)通電� (Rds(on))�2.9 Ω
功� (Ptot)�400 mW
2N7002ET1G 的主要特性包括以下幾點:
1. 低導(dǎo)通電�,確保在�(dǎo)通狀�(tài)下具有較低的功率損耗�
2. 高開�(guān)速度,非常適合高頻應(yīng)��
3. 小型封裝,適合空間受限的�(shè)計環(huán)��
4. 較高的漏源擊穿電�,增強了器件在高壓環(huán)境中的適�(yīng)能力�
5. 工作溫度范圍寬廣 (-55°C � +150°C),能夠在極端�(huán)境下保持�(wěn)定運行�
6. 良好的靜電防護能�,降低了� ESD �(dǎo)致的失效風險�
這些特點� 2N7002ET1G 在各種電子設(shè)備中表現(xiàn)出色,特別是在需要高效能與可靠性的場景下�
2N7002ET1G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源� DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流開關(guān)�
2. 電池保護電路,用于防止過充或過放�
3. 消費類電子產(chǎn)品中的負載開�(guān)控制�
4. 信號切換和緩沖電�,例如音頻信號處��
5. �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的線路驅(qū)動和接收�
6. 電機�(qū)動電路中的開�(guān)元件�
由于其多功能性和高性能�2N7002ET1G 可以滿足從簡單到�(fù)雜的不同�(yīng)用需求�
2N7002KM, BSS138, PMV40EN