2SC5876T106R是一種NPN型硅雙極晶體�,廣泛應(yīng)用于高頻、低噪聲放大電路和開�(guān)電路。該型號晶體管適用于高頻通信�(shè)�、射頻模塊和其他需要高性能的電子電路中。其特點在于具備較高的電流增�、較低的噪聲系數(shù)以及良好的頻率特性�
集電�-�(fā)射極電壓(Vce):40V
集電極最大電流(Ic):0.3A
功率耗散(Ptot):310mW
直流電流增益(hFE):120~450
過渡頻率(fT):2GHz
�(jié)溫范圍(Tj):-55℃~150�
2SC5876T106R晶體管具有以下顯著特性:
1. 高頻率響�(yīng)能力,使其非常適合于射頻和高頻應(yīng)��
2. 較高的直流電流增益(hFE),能夠在低輸入信號下提供較大的輸出電流�
3. 低噪聲性能,適合對信噪比要求嚴(yán)格的場合�
4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠適�(yīng)較寬的工作溫度范��
5. 小封裝尺�,便于在緊湊型設(shè)計中使用�
該晶體管主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 射頻放大器及混頻器電��
2. 無線通信�(shè)備中的低噪聲放大��
3. 高速開�(guān)電路�
4. 音頻前置放大器�
5. 測試測量儀器中的信號調(diào)理電路�
2SC5876, 2SC5876-T106, MMBT3904