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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > 2SC5876T106R

2SC5876T106R 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 21:20:47 查看 閱讀�35

2SC5876T106R是一種NPN型硅雙極晶體�,廣泛應(yīng)用于高頻、低噪聲放大電路和開�(guān)電路。該型號晶體管適用于高頻通信�(shè)�、射頻模塊和其他需要高性能的電子電路中。其特點在于具備較高的電流增�、較低的噪聲系數(shù)以及良好的頻率特性�

參數(shù)

集電�-�(fā)射極電壓(Vce):40V
  集電極最大電流(Ic):0.3A
  功率耗散(Ptot):310mW
  直流電流增益(hFE):120~450
  過渡頻率(fT):2GHz
  �(jié)溫范圍(Tj):-55℃~150�

特�

2SC5876T106R晶體管具有以下顯著特性:
  1. 高頻率響�(yīng)能力,使其非常適合于射頻和高頻應(yīng)��
  2. 較高的直流電流增益(hFE),能夠在低輸入信號下提供較大的輸出電流�
  3. 低噪聲性能,適合對信噪比要求嚴(yán)格的場合�
  4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠適�(yīng)較寬的工作溫度范��
  5. 小封裝尺�,便于在緊湊型設(shè)計中使用�

�(yīng)�

該晶體管主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 射頻放大器及混頻器電��
  2. 無線通信�(shè)備中的低噪聲放大��
  3. 高速開�(guān)電路�
  4. 音頻前置放大器�
  5. 測試測量儀器中的信號調(diào)理電路�

替代型號

2SC5876, 2SC5876-T106, MMBT3904

2sc5876t106r推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

2sc5876t106r資料 更多>

  • 型號
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2sc5876t106r�(chǎn)�

2sc5876t106r參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類�NPN
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)500mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)60V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)300mV @ 10mA�100mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)180 @ 50mA�2V
  • 功率 - 最�200mW
  • 頻率 - �(zhuǎn)�300MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-70,SOT-323
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�UMT3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱2SC5876T106RTR