時間�2025/5/8 11:17:30
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2SK1069-4-TL-E是一款高性能的N溝道場效應晶體管（MOSFET），主要應用于高頻功率放大器、射頻開關和功率轉換電路等領�。該器件采用TO-3金屬封裝，具有低導通電�、高擊穿電壓和快速開關速度的特�，適合在高功率和高頻�(huán)境下工作�
型號�2SK1069-4-TL-E
類型：N溝道MOSFET
封裝：TO-3金屬封裝
最大漏源電壓：70V
最大柵源電壓：±20V
最大漏極電流：15A
導通電阻：0.18Ω
總柵電荷�35nC
開關時間：開通時�100ns，關斷時�50ns
工作溫度范圍�-55℃至+175�
2SK1069-4-TL-E具有出色的電氣性能和可靠性。其低導通電阻有助于減少功率損�，提高效率。此�，該器件的高擊穿電壓和大電流承載能力使其能夠在嚴苛的工作條件下保持穩(wěn)定運行。同�，它還具備快速的開關速度，能夠滿足高頻應用的需��
這款MOSFET適用于需要高可靠性和高效能的場景，例如射頻功率放大器、工�(yè)控制設備和通信系統(tǒng)中的電源管理部分。由于其良好的熱性能，即使在極端溫度下也能保持穩(wěn)定的性能�
該器件廣泛用于以下領域：
1. 射頻功率放大�
2. 高頻開關電路
3. 工業(yè)控制設備
4. 通信系統(tǒng)中的功率轉換模塊
5. 高壓直流電機驅動
6. 航空航天與國防領域的電源解決方案
其強大的電流處理能力和高速開關特性使�2SK1069-4-TL-E成為眾多高要求應用場景的理想選擇�
2SK1069-4-TL-D, 2SK1069-4-TL-F
