2SK1959是一種高性能的N溝道MOSFET晶體管,廣泛�(yīng)用于射頻放大�、功率放大器以及高頻開關(guān)電路�。它具有低導(dǎo)通電�、高擊穿電壓和良好的熱穩(wěn)定�,適用于需要高效率和高可靠性的電子�(shè)備�
該器件通常被用作功率放大級(jí)中的開關(guān)元件或驅(qū)�(dòng)元件,尤其在�(yè)余無線電�(shè)備和專業(yè)通信�(shè)備中表現(xiàn)�(yōu)異�
類型:N溝道MOSFET
漏源極擊穿電壓:80V
柵源極擊穿電壓:±30V
最大漏極電流:14A
�(dǎo)通電阻:0.18Ω
輸入電容�430pF
最大耗散功率�60W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
2SK1959是一款專為高頻應(yīng)用設(shè)�(jì)的MOSFET晶體�,具備以下顯著特性:
1. 高擊穿電壓使得其能夠承受較高的工作電壓,從而適�(yīng)更廣泛的�(yīng)用場(chǎng)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻降低了功耗并提高了效率,特別適合大電流場(chǎng)��
3. 良好的熱�(wěn)定性確保了器件在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定性能�
4. 較高的輸入電容值有助于�(yōu)化高頻信�(hào)的處理能��
5. 寬泛的工作溫度范圍使其能夠在極端條件下可靠運(yùn)行�
6. 小型封裝�(shè)�(jì)便于集成到緊湊型電路板中,同�(shí)兼顧散熱需求�
2SK1959主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 射頻功率放大器:用于�(yè)余無線電、對(duì)講機(jī)等設(shè)備中的發(fā)射模�,提供高效的功率輸出�
2. 開關(guān)電源:作為開�(guān)元件使用,以�(shí)�(xiàn)高效能量�(zhuǎn)換�
3. 音頻放大器:在某些高保真音頻�(shè)備中用作�(qū)�(dòng)�(jí)或輸出級(jí)元件�
4. 電機(jī)控制:用于驅(qū)�(dòng)小型直流電機(jī)或其他負(fù)載,提供精確的電流控��
5. 高頻振蕩器:利用其高頻特性構(gòu)建穩(wěn)定的振蕩電路�
2SK2022
2SK2612
MOSFET同規(guī)格系�