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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > 2SK2313(F)

2SK2313(F) 發(fā)布時間 時間�2025/5/9 9:33:59 查看 閱讀�31

2SK2313(F) 是一種N溝道MOSFET晶體�,主要用于高頻功率放大器和開�(guān)電路中。它具有低導(dǎo)通電�、高增益和良好的線性特性,適合于射頻和音頻�(yīng)��
  該器件廣泛應(yīng)用于廣播�(fā)射機、通信�(shè)備和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景�

參數(shù)

最大漏源電壓:70V
  最大柵源電壓:±20V
  最大漏極電流:8A
  功耗:160W
  跨導(dǎo)�15S
  輸入電容�140pF
  �(dǎo)通電阻:0.4Ω

特�

2SK2313(F) 擁有較高的擊穿電壓和較低的導(dǎo)通電�,能夠在高頻條件下保持穩(wěn)定的性能�
  其封裝形式通常為TO-247或TO-247-3,便于散熱處理�
  該器件還具有快速開�(guān)速度和較低的柵極電荷,有助于減少開關(guān)損��
  此外,它的漏源極之間的寄生電容較�,這使其非常適合高頻功率放大器的設(shè)��

�(yīng)�

2SK2313(F) 主要用于射頻功率放大器、音頻功率放大器以及開關(guān)電源等應(yīng)用領(lǐng)��
  在業(yè)余無線電和專�(yè)通信�(shè)備中也常被用作末級功率放大器��
  此外,它還可以用作電子負載或高速開�(guān),在測試測量�(shè)備中有廣泛應(yīng)��

替代型號

2SK2189, 2SK2314

2sk2313(f)推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

2sk2313(f)參數(shù)

  • 制造商Toshiba
  • �(chǎn)品種�MOSFET
  • 晶體管極�N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓60 V
  • �/源擊穿電�+/- 20 V
  • 漏極連續(xù)電流60 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)0.011 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝�(fēng)�Through Hole
  • 封裝 / 箱體TO-3P
  • 封裝Bulk
  • 下降時間65 ns
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散150 W
  • 上升時間30 ns
  • 工廠包裝�(shù)�50