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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > 2SK2731T146

2SK2731T146 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 13:03:37 查看 閱讀�17

2SK2731T146是一款高性能的N溝道功率場效�(yīng)晶體管(MOSFET�,主要用于高頻開�(guān)�(yīng)用和功率放大器中。該器件采用了先進的半導(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性,廣泛�(yīng)用于射頻功率放大、通信�(shè)備以及工�(yè)控制等領(lǐng)域�
  該型號是富士電機(Fuji Electric)生�(chǎn)的一款功率MOSFET,屬于該公司旗下的高效能�(chǎn)品系�,適用于需要高效率和可靠性的�(yīng)用場��

參數(shù)

最大漏源電壓:150V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�3.8A
  脈沖漏極電流�11.4A
  �(dǎo)通電阻:0.2Ω
  總耗散功率(Tc=25°C):120W
  工作�(jié)溫范圍:-55°C�+175°C
  封裝形式:TO-247

特�

2SK2731T146具有以下主要特性:
  1. 高效性能:其低導(dǎo)通電阻設(shè)計可顯著減少功率損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力:具備高開關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用場��
  3. 良好的熱�(wěn)定性:能夠在較寬的溫度范圍�(nèi)�(wěn)定工�,適用于苛刻�(huán)境下的應(yīng)用�
  4. 高可靠性:采用堅固耐用的設(shè)�,能夠承受較大的瞬態(tài)電流和電壓沖��
  5. 小型化與�(yōu)化散熱:通過改進的封裝技�(shù),既保證了散熱效�,又減少了整體體��

�(yīng)�

該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 射頻功率放大器:在通信基站、衛(wèi)星通信等場景中的功率放大模塊中使用�
  2. 工業(yè)電源:如開關(guān)電源、逆變器和不間斷電源(UPS)等�(shè)��
  3. 電機�(qū)動:用于伺服電機和其他類型的電機控制系統(tǒng)�
  4. 照明系統(tǒng):包括LED照明�(qū)動電路以及其他高效照明方��
  5. �(yī)療設(shè)備:例如超聲波設(shè)�、X光機等對功率要求較高的醫(yī)療儀��

替代型號

2SK2591, 2SK2860, IRFP150N

2sk2731t146推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

2sk2731t146資料 更多>

  • 型號
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2sk2731t146參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊MOSFETs
  • 特色�(chǎn)�ECOMOS? Series MOSFETs
  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C200mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.8 歐姆 @ 100mA�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs-
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds25pF @ 10V
  • 功率 - 最�200mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�3-SMT
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱2SK2731T146-ND2SK2731T146TR