2SK3065是一種N溝道MOSFET功率晶體�,主要應用于高頻和高功率的射頻放大器中。該晶體管以其高增益、低噪聲和優(yōu)良的線性度而著�,適用于廣播電視、雷達系�(tǒng)以及通信設備等高性能需求領��
2SK3065采用垂直擴散型MOS結構,具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠�,能夠滿足苛刻的工作條件。此�,其封裝形式通常為TO-3或類似金屬殼體,有助于高效散熱和提高長期�(wěn)定��
集電�-源極電壓�120V
漏極電流�8A
輸入電容�750pF
輸出電容�400pF
柵極閾值電壓:3V
耗散功率�140W
工作溫度范圍�-55℃至+125�
2SK3065具有以下顯著特性:
1. 高頻性能�(yōu)越,可用于高達數(shù)百MHz的應用場��
2. 低導通電阻設計,有效降低功��
3. 出色的增益表�(xiàn),確保信號放大的精確��
4. �(wěn)定的電氣參數(shù),即使在極端溫度條件下也能保持良好的工作狀�(tài)�
5. 強大的散熱能力,得益于金屬封裝結��
6. 高可靠性和長壽�,適合工�(yè)及軍事級應用�
2SK3065廣泛應用于以下領域:
1. 射頻功率放大器的設計與制��
2. 廣播電視�(fā)射機中的功率放大模塊�
3. 軍事通信設備中的高功率射頻放��
4. �(yī)療成像設備(如超聲波)中的高頻驅動電��
5. 雷達系統(tǒng)中的關鍵功率組件�
6. 無線基站以及其他需要高效率功率轉換的場��
2SC4289, 2SK2917