2SK3230-T1是一款N溝道功率場效�(yīng)晶體管(MOSFET),主要用于高頻、高電壓�(yīng)用場�。該器件采用了先進的半導(dǎo)體工藝制造,具有較低的導(dǎo)通電阻和良好的開�(guān)特�,適用于開關(guān)電源、逆變�、電機驅(qū)動等場景。其T1封裝形式有助于提高散熱性能,從而增強整體系�(tǒng)的穩(wěn)定��
最大漏源電壓:1500V
最大漏極電流:4A
最大柵源電壓:±20V
�(dǎo)通電阻:7.5Ω
輸入電容�1150pF
功耗:36W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
2SK3230-T1擁有出色的耐壓能力,能夠承受高�1500V的漏源電�,這使其非常適合高壓環(huán)境下的應(yīng)�。同時,該器件具備較低的�(dǎo)通電�,僅�7.5Ω,在大電流條件下可以有效減少功率損�。此�,其快速的開關(guān)速度和穩(wěn)定的動態(tài)性能也使其成為高頻電路的理想選擇�
由于采用T1封裝�2SK3230-T1還具有較好的散熱性能,能夠支持長時間高負荷運�。結(jié)合其寬廣的工作溫度范圍(-55℃至+150℃),該器件能夠在極端環(huán)境下保持�(wěn)定表�(xiàn)�
2SK3230-T1主要�(yīng)用于需要高電壓、低損耗特性的�(lǐng)�,例如開�(guān)電源中的主開�(guān)�、逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模�、電機驅(qū)動中的控制電路以及各種工�(yè)�(shè)備中的高壓電子開�(guān)。此�,它還可以用于電力電子設(shè)備中作為保護電路的關(guān)鍵元件�
2SK3231, IRFP260N