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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > 2SK771-5-TB-E

2SK771-5-TB-E 發(fā)布時間 時間�2025/6/5 18:52:00 查看 閱讀�11

2SK771-5-TB-E 是一種雙極型晶體管(BJT),屬于東芝(Toshiba)公司生�(chǎn)的功率晶體管系列。該型號主要用于高功率放大和開關(guān)�(yīng)�,廣泛應(yīng)用于音頻功率放大�、電源電路以及工�(yè)�(shè)備中。這種晶體管具有較高的電流增益、低飽和電壓和良好的熱穩(wěn)定性,適合需要高效率和可靠性的場合�
  2SK771-5-TB-E 的設(shè)計使其能夠在較高的集電極-�(fā)射極電壓下工�,并且能夠承受較大的集電極電�。此外,它采用了 TO-3P 封裝形式,這種封裝有助于提高散熱性能,從而提升整體的功率處理能力�

參數(shù)

最大集電極-�(fā)射極電壓�80V
  最大集電極電流�20A
  最大耗散功率�160W
  直流電流增益(hFE):40-120
  集電�-基極擊穿電壓�90V
  集電�-�(fā)射極飽和電壓�2.5V
  存儲溫度范圍�-55� � +150�
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�

特�

2SK771-5-TB-E 具有以下顯著特點�
  1. 高電流承載能力:可以支持高達(dá) 20A 的集電極電流,適用于大功率應(yīng)用�
  2. 低飽和電壓:其集電極-�(fā)射極飽和電壓僅為 2.5V,可減少功率損耗并提高效率�
  3. 較寬的工作溫度范圍:� -55� � +150� 的工作結(jié)溫范�,確保了在極端環(huán)境下的可靠性�
  4. �(wěn)定的直流電流增益:hFE � 40 � 120 之間,保證了�(wěn)定的信號放大性能�
  5. 良好的熱管理:TO-3P 封裝提供出色的散熱性能,有助于長時間穩(wěn)定運行�
  6. 高擊穿電壓:90V 的集電極-基極擊穿電壓增強了器件的耐壓能力�

�(yīng)�

2SK771-5-TB-E 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 音頻功率放大器:由于其高電流能力和低飽和電壓,非常適合用于音頻放大器中的輸出��
  2. 開關(guān)電源:可以作為開�(guān)元件用于各種開關(guān)模式電源(SMPS)中�
  3. 工業(yè)控制:如電機�(qū)動器和逆變器等工業(yè)�(shè)�,需要高功率和高可靠性的場景�
  4. 電源管理:用于各種類型的 DC-DC �(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器�
  5. 通信�(shè)備:可用于射頻功率放大器和其他通信相關(guān)�(shè)��

替代型號

2SC5198, 2SA1941

2sk771-5-tb-e推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

2sk771-5-tb-e資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
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2sk771-5-tb-e參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭JFET(結(jié)點場效應(yīng)
  • 系列-
  • 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0)5mA @ 10V
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 漏極電流 (Id) - 最�20mA
  • FET �N 溝道
  • 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)-
  • 電壓 - 切斷 (VGS �(guān))@ Id-
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds9pF @ 10V
  • 電阻 - RDS(開�-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 包裝Digi-Reel?
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�3-CP
  • 功率 - 最�200mW
  • 其它名稱869-1111-6