358840XBG 是一種高性能的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開關(guān)電路等領(lǐng)域。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱穩(wěn)定性,適合用于需要高效能和低損耗的應(yīng)用場(chǎng)景。
這種 MOSFET 通常采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗,并在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色。此外,其封裝設(shè)計(jì)優(yōu)化了散熱性能,進(jìn)一步增強(qiáng)了設(shè)備的可靠性和耐用性。
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60 V
最大柵源電壓(Vgs):±20 V
連續(xù)漏極電流(Id):40 A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4 mΩ
柵極電荷(Qg):60 nC
開關(guān)時(shí)間:開啟延遲時(shí)間(td(on))15 ns / 關(guān)閉傳播時(shí)間(tr)15 ns
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
封裝形式:TO-247
358840XBG 的主要特性包括以下幾點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))使其非常適合用于高電流應(yīng)用場(chǎng)景,可以有效減少能量損耗。
2. 高速開關(guān)能力,確保在高頻開關(guān)應(yīng)用中保持高效性能。
3. 強(qiáng)大的過(guò)流保護(hù)和熱關(guān)斷功能提升了器件的可靠性。
4. 良好的熱性能設(shè)計(jì),使得即使在高功率密度條件下也能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 寬泛的工作溫度范圍適應(yīng)多種惡劣環(huán)境需求。
6. 封裝形式堅(jiān)固耐用,易于安裝并提供良好的電氣連接和散熱性能。
358840XBG 可應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器或主開關(guān)管。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的功率級(jí)控制。
4. 工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中的負(fù)載切換。
5. 新能源汽車及電動(dòng)工具中的電池管理系統(tǒng)(BMS)。
6. 各類需要大電流和高效能轉(zhuǎn)換的電子設(shè)備。
IRFZ44N
FDP5500
STP55NF06L