3DEE8M08VS8190MB 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應用于開關電源、電機驅動和負載切換等場�。該器件采用了先進的制造工�,具有低導通電阻、高開關速度和出色的熱性能,能夠顯著提升系統的效率和可靠��
該芯片為 N 溝道增強� MOSFET,適用于中高壓應用場�,其封裝形式緊湊,有助于提高設計靈活性并減少整體解決方案的尺寸�
最大漏源電壓:80V
連續(xù)漏極電流�19A
導通電阻:8mΩ
柵極電荷�65nC
輸入電容�1250pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝類型:TO-247
3DEE8M08VS8190MB 具有以下主要特性:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),可有效降低傳導損耗,從而提高系統效��
2. 快速開關能�,支持高頻操�,適合現代高效能電源設計�
3. 高雪崩能量能�,增強了器件�>4. 支持超寬的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下的可靠運��
5. 緊湊型封裝設�,節(jié)� PCB 空間,并提供良好的散熱性能�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且易于集成到各種工�(yè)和消費類應用中�
該芯片適用于以下應用領域�
1. 開關模式電源 (SMPS) � DC-DC 轉換��
2. 電機驅動和控制電��
3. 電池管理系統 (BMS) 中的負載切換�
4. 工業(yè)自動化設備中的功率轉��
5. 太陽能逆變器和其他可再生能源相關設備�
6. 電動汽車 (EV) 和混合動力汽� (HEV) 的電子系��
3DEE8M08VS8190MA, IRF840, FDP17N8