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3SK157-T1 發(fā)布時間 時間�2025/6/9 19:05:58 查看 閱讀�16

3SK157-T1 是一種高性能� N 沒道場效應晶體管(N-MOSFET�,適用于高頻開關和功率放大等應用場景。該型號由松下公司推�,主要針對高效率、低損耗的應用需�。其特點在于具備較低的導通電阻和較高的開關速度,能夠顯著提升電路的整體性能�
  3SK157-T1 的封裝形式為 TO-247,便于散熱管�,適合用于功率轉(zhuǎn)換器、DC/DC �(zhuǎn)換器、逆變器以及射頻功率放大器等領��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�20A
  脈沖漏極電流�80A
  導通電阻:0.015Ω
  輸入電容�920pF
  總柵極電荷:60nC
  開關時間:ton=80ns, toff=35ns

特�

3SK157-T1 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)),能夠在高電流應用中減少功�,提高效��
  2. 高速開關能�,適合高頻工作場�,減少開關損��
  3. 較大的漏極電流處理能�,可以支持高功率應用�
  4. 封裝設計�(yōu)化散熱性能,有助于在高溫環(huán)境下保持�(wěn)定運��
  5. �(yōu)秀的線性區(qū)域性能,使其非常適合射頻功率放大器中的使用�
  這些特性使得該器件成為許多功率電子設備的理想選擇�

應用

3SK157-T1 廣泛應用于以下領域:
  1. 功率�(zhuǎn)換器� DC/DC �(zhuǎn)換器,用于提高效率和降低熱損��
  2. 逆變器電�,提供穩(wěn)定的功率輸出�
  3. 射頻功率放大�,尤其在通信設備中表�(xiàn)出色�
  4. 工業(yè)控制設備,如伺服�(qū)動器和變頻器�
  5. 開關電源設計,支持高效的能量傳輸�
  由于其卓越的性能,這款 MOSFET 在需要高效率和高可靠性的場合中非常受歡迎�

替代型號

IRF840, STP17NF06

3sk157-t1推薦供應� 更多>

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