50058-8000是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器等領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能,能夠顯著提升電路效率并降低能耗。
該芯片的主要特點(diǎn)是能夠在高壓條件下提供高效的電流傳輸,并且具備良好的抗干擾能力和穩(wěn)定性,適用于工業(yè)控制、汽車(chē)電子及消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的多種應(yīng)用場(chǎng)景。
最大漏源電壓:80V
連續(xù)漏極電流:58A
導(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷:90nC
開(kāi)關(guān)時(shí)間:40ns
工作溫度范圍:-55℃至150℃
50058-8000采用了新一代溝槽式MOSFET技術(shù),具備以下突出特點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了在大電流應(yīng)用中的高效能量傳輸,減少了發(fā)熱和損耗。
2. 高速開(kāi)關(guān)能力使其適合高頻電路設(shè)計(jì),能夠有效降低電磁干擾(EMI)問(wèn)題。
3. 良好的熱性能允許更高的功率密度,同時(shí)延長(zhǎng)了器件的使用壽命。
4. 優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì)增強(qiáng)了散熱效果,提高了系統(tǒng)的整體可靠性。
5. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能,提升了芯片在惡劣環(huán)境下的魯棒性。
50058-8000適用于以下主要領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS),包括AC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-DC變換器。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),例如步進(jìn)電機(jī)和無(wú)刷直流電機(jī)控制器。
3. 電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)中的電力管理系統(tǒng)。
4. 太陽(yáng)能逆變器以及其他可再生能源相關(guān)設(shè)備。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
6. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的快速充電適配器和便攜式儲(chǔ)能裝置。
IRF540N
STP55NF06L
FDP5570N
AO3400