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500R07S2R1BV4T 發(fā)布時間 時間:2025/5/23 22:07:59 查看 閱讀:15

500R07S2R1BV4T 是一款由羅姆(ROHM)公司生產(chǎn)的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),屬于 RB 系列。該器件采用 TO-263 封裝形式,適用于開關電源、DC/DC 轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率控制的電路。其設計優(yōu)化了導通電阻和開關性能,適合高效率和高可靠性應用。

參數(shù)

最大漏源電壓:700V
  連續(xù)漏極電流:5A
  導通電阻:2.1Ω
  柵極電荷:28nC
  總功耗:2W
  工作溫度范圍:-55℃至+175℃

特性

500R07S2R1BV4T 具有以下主要特性:
  1. 高耐壓能力,支持高達 700V 的漏源電壓,能夠適應各種高壓應用場景。
  2. 極低的導通電阻(2.1Ω),有助于降低傳導損耗并提高整體效率。
  3. 優(yōu)化的柵極電荷特性,可實現(xiàn)快速開關和減少開關損耗。
  4. 采用 TO-263 封裝,具有良好的散熱性能和機械穩(wěn)定性。
  5. 寬泛的工作溫度范圍(-55℃ 至 +175℃),確保在極端環(huán)境下的可靠運行。
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合現(xiàn)代工業(yè)需求。

應用

該 MOSFET 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)設計中的功率開關。
  2. DC/DC 轉(zhuǎn)換器的核心元件,用于提升轉(zhuǎn)換效率。
  3. 電機驅(qū)動電路中的功率控制單元。
  4. 工業(yè)設備中的高壓開關應用。
  5. 各類家電產(chǎn)品中的負載控制模塊。

替代型號

RB070050NS2,
  IRFP260N,
  FDP17N50,
  STP10NK50Z