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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > 500R07S2R1BV4T

500R07S2R1BV4T 發(fā)布時間 時間�2025/5/23 22:07:59 查看 閱讀�15

500R07S2R1BV4T 是一款由羅姆(ROHM)公司生�(chǎn)的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET�,屬� RB 系列。該器件采用 TO-263 封裝形式,適用于開關電源、DC/DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率控制的電路。其設計�(yōu)化了導通電阻和開關性能,適合高效率和高可靠性應��

參數(shù)

最大漏源電壓:700V
  連續(xù)漏極電流�5A
  導通電阻:2.1Ω
  柵極電荷�28nC
  總功耗:2W
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

500R07S2R1BV4T 具有以下主要特性:
  1. 高耐壓能力,支持高� 700V 的漏源電壓,能夠適應各種高壓應用場景�
  2. 極低的導通電阻(2.1Ω�,有助于降低傳導損耗并提高整體效率�
  3. �(yōu)化的柵極電荷特性,可實�(xiàn)快速開關和減少開關損��
  4. 采用 TO-263 封裝,具有良好的散熱性能和機械穩(wěn)定��
  5. 寬泛的工作溫度范圍(-55� � +175℃),確保在極端�(huán)境下的可靠運��
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)需求�

應用

� MOSFET 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)設計中的功率開��
  2. DC/DC �(zhuǎn)換器的核心元件,用于提升�(zhuǎn)換效��
  3. 電機�(qū)動電路中的功率控制單��
  4. 工業(yè)設備中的高壓開關應用�
  5. 各類家電�(chǎn)品中的負載控制模��

替代型號

RB070050NS2,
  IRFP260N,
  FDP17N50,
  STP10NK50Z