時間：2025/5/23 22:07:59
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500R07S2R1BV4T 是一款由羅姆（ROHM）公司生產(chǎn)的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），屬于 RB 系列。該器件采用 TO-263 封裝形式，適用于開關電源、DC/DC 轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率控制的電路。其設計優(yōu)化了導通電阻和開關性能，適合高效率和高可靠性應用。
最大漏源電壓：700V
連續(xù)漏極電流：5A
導通電阻：2.1Ω
柵極電荷：28nC
總功耗：2W
工作溫度范圍：-55℃至+175℃
500R07S2R1BV4T 具有以下主要特性：
1. 高耐壓能力，支持高達 700V 的漏源電壓，能夠適應各種高壓應用場景。
2. 極低的導通電阻（2.1Ω），有助于降低傳導損耗并提高整體效率。
3. 優(yōu)化的柵極電荷特性，可實現(xiàn)快速開關和減少開關損耗。
4. 采用 TO-263 封裝，具有良好的散熱性能和機械穩(wěn)定性。
5. 寬泛的工作溫度范圍（-55℃ 至 +175℃），確保在極端環(huán)境下的可靠運行。
6. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且適合現(xiàn)代工業(yè)需求。
該 MOSFET 廣泛應用于以下領域：
1. 開關電源（SMPS）設計中的功率開關。
2. DC/DC 轉(zhuǎn)換器的核心元件，用于提升轉(zhuǎn)換效率。
3. 電機驅(qū)動電路中的功率控制單元。
4. 工業(yè)設備中的高壓開關應用。
5. 各類家電產(chǎn)品中的負載控制模塊。
RB070050NS2,
IRFP260N,
FDP17N50,
STP10NK50Z
