型號(hào)：500R14N180JV4T
　　類型：N 溝道 MOSFET
　　最大漏源電壓（Vds）：1800 V
　　最大柵源電壓（Vgs）：±20 V
　　漏極電流（Id）：500 mA
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：14 Ω（典型值，在 Vgs=15V 時(shí)）
　　功耗：6 W
　　工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
　　封裝：TO-247

1. 高擊穿電壓（1800V），適合高壓應(yīng)用環(huán)境。
　　2. 極低的導(dǎo)通電阻（14Ω 典型值），可顯著降低傳導(dǎo)損耗。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)速度，支持高頻操作，減少開(kāi)關(guān)損耗。
　　4. 增強(qiáng)的熱穩(wěn)定性，能夠承受較高的結(jié)溫（最高可達(dá) 175°C）。
　　5. 小信號(hào)控制能力較強(qiáng)，易于與邏輯電路接口。
　　6. 提供出色的耐用雪崩能力，增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性。
　　7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。
　　8. 廣泛的工作溫度范圍使其適應(yīng)多種惡劣環(huán)境。

1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中的功率開(kāi)關(guān)。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，尤其是需要高電壓控制的應(yīng)用。
　　3. 工業(yè)逆變器和變頻器。
　　4. 高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
　　5. 太陽(yáng)能微逆變器和其他新能源相關(guān)設(shè)備。
　　6. 電磁閥驅(qū)動(dòng)和繼電器控制。
　　7. 高壓負(fù)載切換和保護(hù)電路。
　　8. 等離子體發(fā)生器以及其他特種電源裝置。

IXTH50N180P
　　STW19NM180
　　IRG4PH50KD
　　FDP14N18