500R14N180JV4T 是一款高壓功� MOSFET,屬� N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝設(shè)�(jì),具有高擊穿電壓、低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度等特�。它適用于各種高電壓�(yīng)用場(chǎng)�,例如開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器以� DC-DC �(zhuǎn)換器�。其封裝形式� TO-247,能夠有效提升散熱性能,確保在高功率條件下�(wěn)定運(yùn)��
這款芯片以其�(yōu)異的電氣性能和可靠性著�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定的輸出特性�
型號(hào)�500R14N180JV4T
類型:N 溝道 MOSFET
最大漏源電壓(Vds):1800 V
最大柵源電壓(Vgs):±20 V
漏極電流(Id):500 mA
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):14 Ω(典型�,在 Vgs=15V �(shí)�
功耗:6 W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝:TO-247
1. 高擊穿電壓(1800V�,適合高壓應(yīng)用環(huán)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻(14Ω 典型值),可顯著降低傳導(dǎo)損��
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,支持高頻操�,減少開(kāi)�(guān)損��
4. 增強(qiáng)的熱�(wěn)定�,能夠承受較高的�(jié)溫(最高可�(dá) 175°C)�
5. 小信�(hào)控制能力較強(qiáng),易于與邏輯電路接口�
6. 提供出色的耐用雪崩能力,增�(qiáng)系統(tǒng)可靠��
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
8. 廣泛的工作溫度范圍使其適�(yīng)多種惡劣�(huán)境�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,尤其是需要高電壓控制的應(yīng)��
3. 工業(yè)逆變器和變頻��
4. 高壓 DC-DC �(zhuǎn)換器�
5. 太陽(yáng)能微逆變器和其他新能源相�(guān)�(shè)��
6. 電磁閥驅(qū)�(dòng)和繼電器控制�
7. 高壓�(fù)載切換和保護(hù)電路�
8. 等離子體�(fā)生器以及其他特種電源裝置�
IXTH50N180P
STW19NM180
IRG4PH50KD
FDP14N18