500X14N270MV4T是一種高壓MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),廣泛應用于功率轉換和電機驅動等領域。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻、高開關速度和出色的熱性能,適合在高電壓環(huán)境下工作�
型號�500X14N270MV4T
類型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源極擊穿電壓):1200V
Rds(on)(導通電阻)�180mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):36A
封裝:TO-247
Qg(柵極電荷)�90nC
EAS(雪崩能量)�3.2J
fsw(最大開關頻率)�100kHz
500X14N270MV4T具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力:該器件的漏源極擊穿電壓高達1200V,使其適用于各種高壓應用場景�
2. 低導通電阻:Rds(on)�180mΩ,有效降低導通損�,提升系�(tǒng)效率�
3. 出色的熱�(wěn)定性:其先進的封裝設計能夠快速散�,保證器件在高溫�(huán)境下的可靠性�
4. 快速開關性能:具備低柵極電荷和高開關速度,減少開關損耗�
5. 強大的雪崩能力:EAS達到3.2J,增強器件對異常情況的承受能力�
該MOSFET主要應用于以下領域:
1. 工業(yè)電源:如不間斷電�(UPS)和開關電�(SMPS)�
2. 電機控制:包括工�(yè)自動化設備中的伺服電機驅��
3. 太陽能逆變器:用于光伏系統(tǒng)的直流到交流轉換�
4. 電動汽車(EV):適用于車載充電器和牽引逆變器等組件�
5. 其他需要高效功率管理的場合�
500X14N270MV4,
IRFP260N,
FDP18N120AE,
STW85N120K5