50N10是一款采用TO-252封裝的N溝道功率MOSFET,廣泛應用于開關電源、電機驅�、DC-DC轉換器以及其他需要高頻開關和低導通損耗的場景。該器件以其低導通電阻和高開關速度著稱,適用于中小功率電子設備�
最大漏源電壓:100V
最大漏極電流:6.4A
導通電阻:37mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
柵極電荷�10nC(典型值)
開關時間:開啟延遲時�39ns,上升時�15ns,關斷延遲時�18ns,下降時�10ns
功耗:1.9W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
50N10具有較低的導通電�,能夠有效降低導通損�,提升系�(tǒng)效率�
其柵極電荷較�,有助于實現(xiàn)快速開關,減少開關損��
該器件的工作溫度范圍較寬,能夠在惡劣�(huán)境下保持�(wěn)定性能�
采用TO-252小型表面貼裝封裝,便于自動化生產(chǎn)和散熱設��
具備較強的抗雪崩能力和魯棒性,適合多種應用需��
50N10常用于消費類電子�(chǎn)品中的電源管理電路,如筆記本電腦適配�、手機充電器等�
在工�(yè)領域,可用于小型電機驅動、逆變器控制以及各種開關電源模塊�
還適用于LED照明驅動電路�,提供高效的開關性能和穩(wěn)定性�
此外,也可用于音頻放大器的保護電路或負載切換開關�
IRF540N, FQP18N10, STP12NM10