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5962-9461109HMA++ACT-S512K32N-020F2Q 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/30 16:19:50 查看 閱讀:42

5962-9461109HMA 是一種符合軍用標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片,廣泛應(yīng)用于航空航天和國(guó)防領(lǐng)域。該型號(hào)采用靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)技術(shù),具有高速讀寫、低功耗和高可靠性等特點(diǎn)。ACT-S512K32N-020F2Q 則是另一款商用級(jí)別的 SRAM 芯片,適用于工業(yè)和高性能計(jì)算環(huán)境。
  兩者均具備非易失性存儲(chǔ)能力,在斷電時(shí)數(shù)據(jù)會(huì)丟失,因此適合需要快速訪問和臨時(shí)存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)景。

參數(shù)

容量:512K x 32位(16Mb)
  工作電壓:3.3V 或 5V
  工作溫度范圍:5962-9461109HMA:-55°C 至 +125°C(軍規(guī)級(jí)),ACT-S512K32N-020F2Q:-40°C 至 +85°C(工業(yè)級(jí))
  訪問時(shí)間:最低 10ns
  封裝形式:CerDIP(陶瓷雙列直插式封裝),或 QFP(四方扁平封裝)
  I/O 數(shù)量:根據(jù)具體封裝不同,通常為 44 引腳或 48 引腳

特性

5962-9461109HMA 和 ACT-S512K32N-020F2Q 均基于 CMOS 工藝制造,提供卓越的性能和穩(wěn)定性。
  - 高速操作:支持納秒級(jí)的數(shù)據(jù)訪問時(shí)間,滿足實(shí)時(shí)處理需求。
  - 寬溫度范圍:5962-9461109HMA 特別設(shè)計(jì)用于極端環(huán)境,確保在嚴(yán)苛條件下正常運(yùn)行。
  - 低功耗模式:待機(jī)狀態(tài)下電流消耗顯著降低,延長(zhǎng)系統(tǒng)續(xù)航能力。
  - 軍規(guī)認(rèn)證:5962-9461109HMA 滿足 MIL-PRF-38535 標(biāo)準(zhǔn),通過了嚴(yán)格的篩選測(cè)試流程。
  - 商業(yè)用途:ACT-S512K32N-020F2Q 更適合成本敏感型應(yīng)用,同時(shí)保持較高的可靠性和兼容性。

應(yīng)用

這些 SRAM 芯片主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  - 軍事及航天電子設(shè)備中的緩存和數(shù)據(jù)緩沖。
  - 高性能計(jì)算平臺(tái)的臨時(shí)存儲(chǔ)單元。
  - 工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)的快速數(shù)據(jù)交換。
  - 醫(yī)療成像設(shè)備中的圖像處理加速。
  - 網(wǎng)絡(luò)通信硬件中的包轉(zhuǎn)發(fā)和協(xié)議解析。

替代型號(hào)

CY7C1049V33, IS61LV25616, AS7C34096A