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5962-9461109HMA++ACT-S512K32N-020F2Q 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/30 16:19:50 查看 閱讀：42

5962-9461109HMA 是一種符合軍用標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片，廣泛應(yīng)用于航空航天和國(guó)防領(lǐng)域。該型號(hào)采用靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）技術(shù)，具有高速讀寫、低功耗和高可靠性等特點(diǎn)。ACT-S512K32N-020F2Q 則是另一款商用級(jí)別的 SRAM 芯片，適用于工業(yè)和高性能計(jì)算環(huán)境。
　　兩者均具備非易失性存儲(chǔ)能力，在斷電時(shí)數(shù)據(jù)會(huì)丟失，因此適合需要快速訪問和臨時(shí)存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)景。

參數(shù)

容量：512K x 32位（16Mb）
　　工作電壓：3.3V 或 5V
　　工作溫度范圍：5962-9461109HMA：-55°C 至 +125°C（軍規(guī)級(jí)），ACT-S512K32N-020F2Q：-40°C 至 +85°C（工業(yè)級(jí)）
　　訪問時(shí)間：最低 10ns
　　封裝形式：CerDIP（陶瓷雙列直插式封裝），或 QFP（四方扁平封裝）
　　I/O 數(shù)量：根據(jù)具體封裝不同，通常為 44 引腳或 48 引腳

特性

5962-9461109HMA 和 ACT-S512K32N-020F2Q 均基于 CMOS 工藝制造，提供卓越的性能和穩(wěn)定性。
　　- 高速操作：支持納秒級(jí)的數(shù)據(jù)訪問時(shí)間，滿足實(shí)時(shí)處理需求。
　　- 寬溫度范圍：5962-9461109HMA 特別設(shè)計(jì)用于極端環(huán)境，確保在嚴(yán)苛條件下正常運(yùn)行。
　　- 低功耗模式：待機(jī)狀態(tài)下電流消耗顯著降低，延長(zhǎng)系統(tǒng)續(xù)航能力。
　　- 軍規(guī)認(rèn)證：5962-9461109HMA 滿足 MIL-PRF-38535 標(biāo)準(zhǔn)，通過了嚴(yán)格的篩選測(cè)試流程。
　　- 商業(yè)用途：ACT-S512K32N-020F2Q 更適合成本敏感型應(yīng)用，同時(shí)保持較高的可靠性和兼容性。

應(yīng)用

這些 SRAM 芯片主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　- 軍事及航天電子設(shè)備中的緩存和數(shù)據(jù)緩沖。
　　- 高性能計(jì)算平臺(tái)的臨時(shí)存儲(chǔ)單元。
　　- 工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)的快速數(shù)據(jù)交換。
　　- 醫(yī)療成像設(shè)備中的圖像處理加速。
　　- 網(wǎng)絡(luò)通信硬件中的包轉(zhuǎn)發(fā)和協(xié)議解析。

替代型號(hào)

CY7C1049V33, IS61LV25616, AS7C34096A