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5AGTMD3G3F31I3N 是一款高性能的 MOSFET 功率晶體管，廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開關(guān)電路等領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能，適用于各種高效能轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
型號(hào)：5AGTMD3G3F31I3N
類型：MOSFET
封裝：TO-247
Vds（漏源電壓）：650V
Rds(on)（導(dǎo)通電阻）：35mΩ
Id（連續(xù)漏極電流）：50A
Vgs（柵源電壓）：±20V
f（工作頻率）：500kHz
Ptot（總功率耗散）：250W
結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃
5AGTMD3G3F31I3N 是一款為高效率和高可靠性設(shè)計(jì)的功率 MOSFET 晶體管。
它具備以下主要特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)，有助于降低傳導(dǎo)損耗，提升系統(tǒng)效率。
2. 高擊穿電壓 Vds，能夠承受高達(dá) 650V 的電壓，適用于高壓應(yīng)用場景。
3. 快速開關(guān)能力，支持高達(dá) 500kHz 的開關(guān)頻率，滿足高頻應(yīng)用需求。
4. 出色的熱性能，通過優(yōu)化封裝設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)高效的散熱管理。
5. 穩(wěn)定的工作溫度范圍，能夠在極端環(huán)境下可靠運(yùn)行。
6. 小尺寸封裝 TO-247 提供了良好的安裝靈活性和散熱性能。
這款功率 MOSFET 廣泛用于多種電力電子領(lǐng)域，包括但不限于以下應(yīng)用：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的主開關(guān)管或同步整流管。
2. 逆變器和變頻器中的功率級(jí)驅(qū)動(dòng)元件。
3. 工業(yè)電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)電路。
4. 太陽能逆變器中作為功率轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵組件。
5. 電動(dòng)汽車充電設(shè)備中的功率開關(guān)。
6. LED 驅(qū)動(dòng)器和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合。
IRFP260N
STP50NF06
FDP58N65
