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5AGTMD3G3F31I5N 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 13:53:33 查看 閱讀�29

5AGTMD3G3F31I5N 是一款高性能� MOSFET 功率晶體管,專為高效率和高可靠性應(yīng)用設(shè)�。該器件采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于各種電源管理和功率轉(zhuǎn)換場��
  這款晶體管主要應(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)�、負載開�(guān)以及電池保護等領(lǐng)�,能夠顯著提高系�(tǒng)的能效并降低熱損耗�

參數(shù)

型號�5AGTMD3G3F31I5N
  類型:N溝道增強型MOSFET
  漏源極擊穿電�(Vds)�60V
  柵源極閾值電�(Vgs(th))�2V~4V
  最大漏極電�(Id)�5A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�8mΩ(� Vgs=10V �)
  功�(PD)�36W
  工作溫度范圍(Ta)�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-252(DPAK)

特�

5AGTMD3G3F31I5N 具有卓越的性能表現(xiàn),以下是其主要特點:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠有效減少功率損�,提升系�(tǒng)整體效率�
  2. 快速開�(guān)能力,支持高頻操�,適合現(xiàn)代高效電源轉(zhuǎn)換需��
  3. 寬泛的工作溫度范�,使其可以在極端�(huán)境下保持�(wěn)定運行�
  4. 高電流承載能�,確保其能夠在大功率�(yīng)用場景中�(fā)揮出色性能�
  5. 小巧的封裝設(shè)�,便于集成到空間受限的設(shè)計中�
  6. �(nèi)置靜電防護功�,提升了器件的可靠性和抗干擾能力�

�(yīng)�

該器件廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)�,包括但不限于以下場景:
  1. 開關(guān)電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 電機�(qū)動電路中的功率級控制�
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的負載開關(guān)和保護電��
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模��
  5. 消費類電子產(chǎn)品中的電池保護和充電管理電路�
  由于其高效的性能和寬廣的�(yīng)用范��5AGTMD3G3F31I5N 成為了眾多工程師的首選解決方案�

替代型號

5AGTMD3G3F31I6P, IRF540N, FDP5500

5agtmd3g3f31i5n推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

5agtmd3g3f31i5n�(chǎn)�