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5AGXBA1D6F27C6N 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 18:21:18 查看 閱讀�32

5AGXBA1D6F27C6N 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,適用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率�
  這款晶體管屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,通過�(yōu)化設(shè)�(jì)�(shí)�(xiàn)了出色的熱性能和電氣特�,非常適合需要高效能和高可靠性的工業(yè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)��

參數(shù)

型號(hào)�5AGXBA1D6F27C6N
  類型:MOSFET (N 溝道)
  最大漏源電� Vds�60V
  最大柵源電� Vgs:�20V
  最大漏極電� Id�48A
  �(dǎo)通電� Rds(on)�4.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
  總功� Ptot�210W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247

特�

5AGXBA1D6F27C6N 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于減少傳導(dǎo)損�,從而提高整體效��
  2. 高速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)用場�,適合現(xiàn)代電力電子設(shè)備的需求�
  3. 較寬的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境條件下仍能保持�(wěn)定運(yùn)行�
  4. 具備出色的雪崩能力和魯棒�,能夠在異常情況下保�(hù)電路�
  5. 封裝�(jiān)固耐用,易于安裝和散熱管理,適合高功率密度�(shè)�(jì)�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),滿足環(huán)保要��

�(yīng)�

該器件廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流器�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的功率級(jí)控制,例如無刷直流電�(jī)(BLDC)驅(qū)�(dòng)�
  3. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
  5. 太陽能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模��
  6. 汽車電子中的各種功率控制單元�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP55NF06L
  FDP5575N
  IXFN100N06T2

5agxba1d6f27c6n推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

5agxba1d6f27c6n�(chǎn)�