5AGXFA7H4F35C5N 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機驅(qū)動等場景。該芯片采用先進的溝槽式 MOSFET 技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和出色的熱性能。其封裝形式為 TO-263(D2PAK),適合表面貼裝應(yīng)用,能夠有效降低系統(tǒng)成本并提高可靠性。
這款器件在設(shè)計時注重了低損耗和高溫穩(wěn)定性,適用于工業(yè)、汽車和消費電子領(lǐng)域中的多種應(yīng)用場景。
型號:5AGXFA7H4F35C5N
類型:N-Channel MOSFET
漏源極擊穿電壓:60V
連續(xù)漏極電流:35A
導(dǎo)通電阻(典型值):1.5mΩ
柵極電荷:45nC
開關(guān)速度:快速
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝:TO-263 (D2PAK)
功耗:250W
5AGXFA7H4F35C5N 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠在大電流條件下保持高效的性能。
2. 快速開關(guān)速度,有助于減少開關(guān)損耗并提升系統(tǒng)的整體效率。
3. 高電流承載能力,支持高達 35A 的連續(xù)漏極電流,滿足高功率應(yīng)用需求。
4. 出色的熱性能,能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運行,延長使用壽命。
5. 小型化的 D2PAK 封裝,便于表面貼裝并節(jié)省 PCB 空間。
6. 寬泛的工作溫度范圍,適應(yīng)各種嚴苛環(huán)境條件。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中作為主開關(guān)或同步整流元件。
2. 汽車電子系統(tǒng)中的電機驅(qū)動和負載切換。
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制和保護電路。
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源相關(guān)設(shè)備中的功率管理模塊。
5. 消費類電子產(chǎn)品中的高效電源解決方案。
憑借其高性能和可靠性,5AGXFA7H4F35C5N 成為眾多功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。
5AGXFA7H4F35C3M, 5BGXFA7H5F35C5N