5AGXFB1H6F35C6N 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)器件,主要應用于開關電源、電機驅(qū)�、逆變器和其他功率�(zhuǎn)換系�(tǒng)。該型號采用了先進的制造工藝,具有低導通電阻和快速開關特�,能夠在高頻工作條件下提供高效率和低損耗的表現(xiàn)�
該芯片的封裝形式� TO-252,具備良好的散熱性能,適合需要高可靠性和高穩(wěn)定性的工業(yè)應用�(huán)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�5.4A
導通電阻:3.5mΩ
柵極電荷�28nC
開關速度:超�
工作溫度范圍�-55� � +175�
5AGXFB1H6F35C6N 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻,可顯著降低功率損��
2. 快速的開關速度,支持高頻應用�
3. �(yōu)化的柵極�(qū)動設�,減少開關過程中的能量損��
4. 高雪崩能量能力,增強器件的耐用性�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全�
6. 具備短路保護功能,提高系�(tǒng)可靠��
7. 小型化的封裝設計,便� PCB 布局和安��
該型號廣泛應用于以下領域�
1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 工業(yè)電機控制和驅(qū)動電路�
3. 太陽能逆變器和其他綠色能源設備�
4. 汽車電子系統(tǒng)的功率管理模��
5. 各類消費類電子產(chǎn)品中的功率調(diào)節(jié)部分�
6. LED �(qū)動電路及照明解決方案�
5AGXFB1H6F35C6P, 5AGXFB1H6F35C6Q