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5AGXFB3H4F40C4N 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/7 15:40:58 查看 閱讀：26

5AGXFB3H4F40C4N 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換等場(chǎng)景。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)，能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并降低能耗。
　　該芯片的工作電壓范圍較廣，適用于多種工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電力轉(zhuǎn)換和管理應(yīng)用。此外，它還具有出色的熱穩(wěn)定性和可靠性，確保在惡劣環(huán)境下的正常運(yùn)行。

參數(shù)

型號(hào)：5AGXFB3H4F40C4N
　　類型：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
　　Vds（漏源極電壓）：60V
　　Rds(on)（導(dǎo)通電阻）：4mΩ
　　Id（連續(xù)漏極電流）：40A
　　Vgs（柵源極電壓）：±20V
　　功耗：100W
　　封裝：TO-247
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃

特性

5AGXFB3H4F40C4N 具有以下主要特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
　　2. 高速開關(guān)能力，支持高頻操作，適合現(xiàn)代高效的電力電子設(shè)計(jì)。
　　3. 強(qiáng)大的過(guò)流保護(hù)功能，可有效防止因瞬態(tài)電流尖峰導(dǎo)致的損壞。
　　4. 穩(wěn)定的電氣性能和較高的抗靜電能力，增強(qiáng)產(chǎn)品可靠性。
　　5. 小型化封裝設(shè)計(jì)，便于集成到緊湊型電路板中，同時(shí)保持良好的散熱性能。

應(yīng)用

這款芯片適用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)模式電源 (SMPS)，如 AC/DC 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
　　2. 電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)，包括無(wú)刷直流電機(jī) (BLDC) 控制。
　　3. 電池管理系統(tǒng) (BMS)，用于電動(dòng)車和其他便攜式設(shè)備。
　　4. 汽車電子，例如發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元 (ECU) 和車載充電器。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路。

替代型號(hào)

IRF540N
　　STP55NF06L
　　FDP5570N
　　AUIRF530N

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