時間：2025/3/26 8:41:22
閱讀：41
5AGXFB5H4F35I5N 是一款高性能的功率MOSFET芯片，廣泛應用于開關電源、電機驅動、逆變器和其他高功率密度應用中。該芯片具有低導通電阻、快速開關特性和高電流承載能力，能夠顯著提高效率并降低功耗。
該器件采用先進的半導體工藝制造，具備出色的熱性能和可靠性，適用于各種工業(yè)和消費類電子設備。
類型：功率MOSFET
封裝：TO-220
Vds（漏源極電壓）：60V
Rds(on)（導通電阻）：1.2mΩ
Id（連續(xù)漏極電流）：80A
Vgs(th)（柵極閾值電壓）：2.5V
Qg（總柵極電荷）：45nC
fT（特征頻率）：1.2MHz
Ptot（總功率耗散）：150W
工作溫度范圍：-55℃ 至 175℃
5AGXFB5H4F35I5N 芯片具有以下關鍵特性：
1. 極低的導通電阻，有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開關速度，支持高頻操作，減少磁性元件尺寸。
3. 高電流處理能力，確保在大負載條件下穩(wěn)定運行。
4. 出色的熱性能，通過優(yōu)化封裝設計實現(xiàn)高效的散熱管理。
5. 增強的靜電放電（ESD）保護功能，提升產品可靠性。
6. 寬工作溫度范圍，適應各種惡劣環(huán)境下的應用需求。
這些特性使該器件成為需要高效能和高可靠性的應用的理想選擇。
該芯片適用于以下應用場景：
1. 開關電源（SMPS）中的功率轉換級。
2. 電動工具和家用電器中的電機驅動控制。
3. 太陽能逆變器中的功率調節(jié)模塊。
4. 工業(yè)自動化設備中的直流-直流轉換器。
5. 電動汽車和混合動力汽車中的電池管理系統(tǒng)（BMS）。
6. 充電器和適配器中的同步整流電路。
其高性能和可靠性使其在高要求的電力電子領域中占據(jù)重要地位。
5AGXFB5H4F35I4M, 5AGXFB5H4F35I6P
