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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > 5AGXMA5G4F35I5N

5AGXMA5G4F35I5N 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 14:50:49 查看 閱讀�18

5AGXMA5G4F35I5N 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率管理的電子�(shè)備中。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升電路的效率并降低功��
  這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,適用于高頻率和大電流的工作�(huán)境。其封裝形式通常為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)類型,方便設(shè)�(jì)人員�(jìn)� PCB 布局�(yōu)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�12A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�28nC
  輸入電容�1250pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247

特�

5AGXMA5G4F35I5N 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
  3. 高擊穿電壓設(shè)�(jì),確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  4. �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下保持良好的性能�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
  6. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了芯片的抗靜電能��

�(yīng)�

該芯片的�(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,主要包括�
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開�(guān)元件�
  2. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率器��
  3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  4. 新能源汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS)以及逆變器模��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換與功率�(diào)節(jié)�
  6. 太陽(yáng)能逆變器及其他可再生能源發(fā)電系�(tǒng)中的功率處理單元�

替代型號(hào)

IRF540N
  STP12NM60
  FDP15U60A

5agxma5g4f35i5n推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)