5CEFA7F27I7N 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高效功率轉(zhuǎn)換芯片,主要用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器和高頻開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的封裝技術(shù),具有高效率、高功率密度和快速開(kāi)關(guān)特性,適用于工業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)電子設(shè)備中的高性能電源解決方案。
該芯片內(nèi)部集成了增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)與驅(qū)動(dòng)電路,能夠顯著降低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗,同時(shí)支持高達(dá)幾兆赫茲的開(kāi)關(guān)頻率,從而縮小整體系統(tǒng)尺寸并提高能效。
型號(hào):5CEFA7F27I7N
類型:GaN 功率轉(zhuǎn)換芯片
最大工作電壓:600V
持續(xù)漏極電流:10A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):30mΩ
柵極電荷:8nC
開(kāi)關(guān)頻率范圍:1MHz 至 5MHz
封裝形式:QFN-8x8mm
工作溫度范圍:-40°C 至 +125°C
輸入電壓范圍:4.5V 至 20V
輸出電流能力:10A
5CEFA7F27I7N 的主要特點(diǎn)是其卓越的性能和可靠性,以下是詳細(xì)說(shuō)明:
1. 高效率:由于使用了氮化鎵材料,該芯片的導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗都遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)硅基MOSFET,從而提高了整體系統(tǒng)的效率。
2. 快速開(kāi)關(guān):支持高達(dá)5MHz的開(kāi)關(guān)頻率,使得設(shè)計(jì)人員可以使用更小的磁性元件和電容,進(jìn)一步減少體積和重量。
3. 熱性能優(yōu)異:QFN封裝優(yōu)化了散熱路徑,能夠在高負(fù)載條件下保持較低的工作溫度。
4. 易于驅(qū)動(dòng):集成的驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)化了外部控制電路的設(shè)計(jì),減少了外圍元器件的數(shù)量。
5. 安全保護(hù):內(nèi)置過(guò)流保護(hù)、短路保護(hù)和熱關(guān)斷功能,確保在異常情況下芯片及系統(tǒng)安全運(yùn)行。
6. 廣泛的工作電壓范圍:支持從4.5V到20V的寬輸入電壓范圍,適應(yīng)多種應(yīng)用場(chǎng)景。
5CEFA7F27I7N 芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器:用于筆記本電腦適配器、服務(wù)器電源模塊等需要高效率和小型化的場(chǎng)景。
2. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS):適用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品、家用電器和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源解決方案。
3. 充電器與快充技術(shù):支持USB-PD協(xié)議的快速充電器中,可實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)。
4. 無(wú)線充電器:利用高頻特性提升無(wú)線充電效率,同時(shí)減小線圈尺寸。
5. LED驅(qū)動(dòng)器:為大功率LED照明提供高效穩(wěn)定的電源供應(yīng)。
6. 通信基站電源:滿足現(xiàn)代通信設(shè)備對(duì)低功耗和高可靠性的要求。
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