5HN01CPA-TB-E 是一款高性能� N 沱道 MOSFET 功率晶體�,廣泛應(yīng)用于功率�(zhuǎn)換、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等領(lǐng)�。其�(shè)�(jì)旨在提供高效�、低�(dǎo)通電阻以及出色的熱性能,適用于�(duì)功率密度和能效要求較高的�(yīng)用場��
型號(hào)�5HN01CPA-TB-E
類型:N溝道 MOSFET
封裝形式:TO-263 (D2PAK)
最大漏源電�(Vdss)�40V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�39A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.8mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
總功�(Ptot)�175W
工作溫度范圍(Tj)�-55°C � +175°C
柵極電荷(Qg)�27nC
反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�13ns
5HN01CPA-TB-E 具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,確保在高頻開�(guān)�(yīng)用中減少功率損��
2. 高電流處理能�,可支持高達(dá) 39A 的連續(xù)漏極電流�
3. �(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),有效降低開�(guān)損耗并提高整體效率�
4. 短反向恢�(fù)�(shí)間(trr = 13ns�,適合快速開�(guān)的應(yīng)用場��
5. 廣泛的工作溫度范圍(-55°C � +175°C),能夠在惡劣環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��
6. TO-263 封裝,便于散熱管理和 PCB 布局�(shè)�(jì)�
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),滿足環(huán)保要��
該芯片的主要�(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換模��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,特別是用于無刷直流電機(jī)(BLDC)控制�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)電路�
5. LED �(qū)�(dòng)器和照明系統(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)組件�
6. 汽車電子中的 DC-DC �(zhuǎn)換器和啟�(dòng)電路�
7. 任何需要高效功率管理的場合�
IRF540N
STP36NF06L
FDP5500
IXFN40N10P