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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > 5M160ZE64A5N

5M160ZE64A5N 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 12:11:59 查看 閱讀�25

5M160ZE64A5N 是一款由三星(Samsung)生�(chǎn)的高�、低功� DDR5 SDRAM �(nèi)存芯�。該芯片專為滿足高性能�(jì)算和�(shù)�(jù)中心�(yīng)用的需求而設(shè)�(jì),支持更高的�(shù)�(jù)傳輸速率和更低的能�。DDR5 技�(shù)相比上一� DDR4 提供了顯著的性能改�(jìn),包括更高的密度、更快的速度以及更優(yōu)的能效表�(xiàn)�
  這款�(nèi)存芯片廣泛應(yīng)用于服務(wù)�、工作站以及其他需要大容量?jī)?nèi)存和高帶寬的�(shù)�(jù)處理�(shè)備中�

參數(shù)

類型:DDR5 SDRAM
  容量�16Gb
  組織方式:x64
  核心電壓�1.1V
  I/O 電壓�1.1V
  速度�6400MT/s
  封裝形式:FBGA
  引腳�(shù)�82-ball
  工作溫度范圍�-40°C � +125°C

特�

5M160ZE64A5N 芯片采用了先�(jìn)� 1αnm 制造工藝,提供更高的集成度和更低的功�。其主要特性包括:
  1. 支持 DDR5 �(biāo)�(zhǔn),數(shù)�(jù)傳輸速率高達(dá) 6400MT/s�
  2. 配備 On-die ECC 功能,可自動(dòng)糾正單比特錯(cuò)�,提升數(shù)�(jù)可靠性�
  3. �(nèi)置溫度傳感器,便于系�(tǒng)�(jiān)控和熱管��
  4. 支持深度省電模式,降低待�(jī)功��
  5. 具有更高的存�(chǔ)密度,單顆芯片即可實(shí)�(xiàn)大容量配��
  6. 改�(jìn)了信�(hào)完整性和抗噪能力,確保在高頻率下的穩(wěn)定運(yùn)行�
  7. 符合 JEDEC DDR5 �(guī)�,具備廣泛的兼容��

�(yīng)�

5M160ZE64A5N 主要用于以下�(lǐng)域:
  1. 企業(yè)�(jí)服務(wù)器和高性能�(jì)算平�(tái)�
  2. �(shù)�(jù)中心存儲(chǔ)解決方案�
  3. 工作站和圖形處理單元(GPU)加速卡�
  4. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)�,如路由器和交換�(jī)�
  5. 人工智能和機(jī)器學(xué)�(xí)�(xùn)練系�(tǒng)�
  6. �(yī)療成像和其他需要高帶寬�(nèi)存的�(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

5M160ZE64A5M, 5M160ZE64A5P

5m160ze64a5n推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

5m160ze64a5n參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �58.83000托盤
  • 系列MAX? V
  • 包裝托盤
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • 可編程類�系統(tǒng)�(nèi)可編�
  • 延遲�(shí)� tpd(1) 最大�7.5 ns
  • 供電電壓 - �(nèi)�1.71V ~ 1.89V
  • 邏輯元件/塊數(shù)160
  • 宏單元數(shù)128
  • 柵極�(shù)-
  • I/O �(shù)54
  • 工作溫度-40°C ~ 125°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼64-TQFP 裸露焊盤
  • 供應(yīng)商器件封�64-EQFP�7x7�