5M160ZE64C4N 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生�(chǎn)� SRAM(靜�(tài)隨機(jī)存取存儲器)芯片。該器件采用 CMOS 工藝制�,具有高�、低功耗和高可靠性的特點。它主要�(yīng)用于需要快速數(shù)�(jù)訪問的場�,例如網(wǎng)�(luò)�(shè)�、工�(yè)控制、消�(fèi)電子和通信系統(tǒng)��5M160ZE64C4N 提供了較大的存儲容量和多種工作模�,以滿足不同�(yīng)用需求�
該芯片支持同步時鐘操�,能夠與各種處理器和控制器無縫連接。其封裝形式� FBGA(細(xì)間距球柵陣列�,有助于實現(xiàn)緊湊型設(shè)��
容量�16M x 8 bits
工作電壓�1.8V ± 0.1V
時鐘頻率:最高可�(dá) 200MHz
�(shù)�(jù)訪問時間�4ns
封裝形式:FBGA-78
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
I/O �(biāo)�(zhǔn):SSTL-2 � HSTL-1
引腳�(shù)�78
5M160ZE64C4N 是一款高性能� SRAM 芯片,具備以下顯著特性:
1. 高速操作:支持高達(dá) 200MHz 的時鐘頻�,確保快速的�(shù)�(jù)傳輸速率�
2. 大容量存儲:提供 16M x 8 bits 的存儲空�,適合需要較大內(nèi)存的�(yīng)��
3. 低功耗設(shè)計:在典型條件下具有較低的待�(jī)和運(yùn)行功耗,�(yōu)化了系統(tǒng)的整體能��
4. 同步接口:通過同步時鐘信號�(jìn)行數(shù)�(jù)讀寫操作,提升了數(shù)�(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定��
5. 可靠性高:經(jīng)過嚴(yán)格的�(zhì)量測試,能夠在廣泛的工業(yè)溫度范圍�(nèi)正常工作�
6. 多種工作模式:支持掉電模式和待機(jī)模式,�(jìn)一步降低功��
7. 緊湊型封裝:采用 FBGA 封裝形式,節(jié)省電路板空間�
5M160ZE64C4N 廣泛�(yīng)用于需要高速數(shù)�(jù)處理和大容量存儲的領(lǐng)域,包括但不限于�
1. �(wǎng)�(luò)�(shè)備:如路由器、交換機(jī)和防火墻�,用于臨時存儲和快速訪問數(shù)�(jù)�
2. 工業(yè)控制:用� PLC 和其他實時控制系�(tǒng)中的�(shù)�(jù)緩沖�
3. 消費(fèi)電子:例如高端數(shù)碼相�(jī)和視頻編輯設(shè)�,用于緩存圖像和視頻�(shù)�(jù)�
4. 通信系統(tǒng):支持基站和中繼器等�(shè)備中的數(shù)�(jù)暫存和快速檢索功��
5. �(yī)療設(shè)備:如超聲波成像�(shè)備和患者監(jiān)�(hù)儀,用于高效的�(shù)�(jù)處理和存��
6. 軍事與航天:適用于對可靠性和速度要求極高的應(yīng)用場景�
5M160ZET64C4N
5M160ZE64C4T
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