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5M570ZT100I5N 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/12 21:51:35 查看 閱讀：27

5M570ZT100I5N 是一款由 VISHAY 公司生產(chǎn)的功率 MOSFET 芯片，屬于 SiC（碳化硅）材料系列。該器件采用了先進(jìn)的碳化硅技術(shù)，具有高效率、高頻開關(guān)能力以及出色的耐高溫性能。它專為工業(yè)應(yīng)用和汽車級(jí)應(yīng)用設(shè)計(jì)，能夠滿足嚴(yán)苛環(huán)境下的電力電子需求。
　　這款功率 MOSFET 在電動(dòng)汽車、充電樁、太陽能逆變器以及高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域中表現(xiàn)出色，適合需要高功率密度和低損耗的應(yīng)用場(chǎng)景。

參數(shù)

類型：SiC MOSFET
　　封裝：TO-247-4
　　額定電壓：650V
　　額定電流：80A
　　Rds(on)：9mΩ
　　柵極電荷：120nC
　　最大功耗：350W
　　工作溫度范圍：-55℃ to +175℃
　　漏源極電壓：650V
　　連續(xù)漏極電流：80A
　　導(dǎo)通電阻：9mΩ

特性

5M570ZT100I5N 的主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可以顯著降低傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
　　2. 高開關(guān)頻率支持，適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)合，減少磁性元件體積，提升功率密度。
　　3. 采用碳化硅材料制造，具備優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性和可靠性，能夠在高達(dá) 175°C 的結(jié)溫下工作。
　　4. 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，確保其在汽車應(yīng)用中的耐用性和一致性。
　　5. 內(nèi)置反向恢復(fù)二極管功能，有助于降低開關(guān)損耗并簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
　　6. 優(yōu)化了柵極驅(qū)動(dòng)要求，使得驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)便。

應(yīng)用

5M570ZT100I5N 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 電動(dòng)汽車牽引逆變器。
　　2. 快速充電站及車載充電器。
　　3. 太陽能光伏逆變器與儲(chǔ)能系統(tǒng)。
　　4. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和變頻器。
　　5. 高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 PFC（功率因數(shù)校正）電路。
　　6. 不間斷電源（UPS）和電信電源設(shè)備。
　　由于其出色的性能，該芯片非常適合需要高效率和高可靠性的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

替代型號(hào)

5M570ZT075I5N
　　5M570ZT150I5N

5m570zt100i5n推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

5m570zt100i5n參數(shù)

  • 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊Max V Overview
  • 特色產(chǎn)品MAX? V CPLDs
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝90
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭嵌入式 - CPLD（復(fù)雜可編程邏輯器件）
  • 系列MAX® V
  • 可編程類型系統(tǒng)內(nèi)可編程
  • 最大延遲時(shí)間 tpd(1)9.0ns
  • 電壓電源 - 內(nèi)部1.71 V ~ 1.89 V
  • 邏輯元件/邏輯塊數(shù)目570
  • 宏單元數(shù)440
  • 門數(shù)-
  • 輸入/輸出數(shù)74
  • 工作溫度-40°C ~ 100°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼100-TQFP
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝100-TQFP（14x14）
  • 包裝托盤