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5M570ZT100I5N 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/12 21:51:35 查看 閱讀:27

5M570ZT100I5N 是一款由 VISHAY 公司生產(chǎn)的功率 MOSFET 芯片,屬于 SiC(碳化硅)材料系列。該器件采用了先進(jìn)的碳化硅技術(shù),具有高效率、高頻開關(guān)能力以及出色的耐高溫性能。它專為工業(yè)應(yīng)用和汽車級(jí)應(yīng)用設(shè)計(jì),能夠滿足嚴(yán)苛環(huán)境下的電力電子需求。
  這款功率 MOSFET 在電動(dòng)汽車、充電樁、太陽能逆變器以及高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域中表現(xiàn)出色,適合需要高功率密度和低損耗的應(yīng)用場(chǎng)景。

參數(shù)

類型:SiC MOSFET
  封裝:TO-247-4
  額定電壓:650V
  額定電流:80A
  Rds(on):9mΩ
  柵極電荷:120nC
  最大功耗:350W
  工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
  漏源極電壓:650V
  連續(xù)漏極電流:80A
  導(dǎo)通電阻:9mΩ

特性

5M570ZT100I5N 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可以顯著降低傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 高開關(guān)頻率支持,適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)合,減少磁性元件體積,提升功率密度。
  3. 采用碳化硅材料制造,具備優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性和可靠性,能夠在高達(dá) 175°C 的結(jié)溫下工作。
  4. 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),確保其在汽車應(yīng)用中的耐用性和一致性。
  5. 內(nèi)置反向恢復(fù)二極管功能,有助于降低開關(guān)損耗并簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
  6. 優(yōu)化了柵極驅(qū)動(dòng)要求,使得驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)便。

應(yīng)用

5M570ZT100I5N 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 電動(dòng)汽車牽引逆變器。
  2. 快速充電站及車載充電器。
  3. 太陽能光伏逆變器與儲(chǔ)能系統(tǒng)。
  4. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和變頻器。
  5. 高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 PFC(功率因數(shù)校正)電路。
  6. 不間斷電源(UPS)和電信電源設(shè)備。
  由于其出色的性能,該芯片非常適合需要高效率和高可靠性的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

替代型號(hào)

5M570ZT075I5N
  5M570ZT150I5N

5m570zt100i5n推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

5m570zt100i5n參數(shù)

  • 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊Max V Overview
  • 特色產(chǎn)品MAX? V CPLDs
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝90
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭嵌入式 - CPLD(復(fù)雜可編程邏輯器件)
  • 系列MAX® V
  • 可編程類型系統(tǒng)內(nèi)可編程
  • 最大延遲時(shí)間 tpd(1)9.0ns
  • 電壓電源 - 內(nèi)部1.71 V ~ 1.89 V
  • 邏輯元件/邏輯塊數(shù)目570
  • 宏單元數(shù)440
  • 門數(shù)-
  • 輸入/輸出數(shù)74
  • 工作溫度-40°C ~ 100°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼100-TQFP
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝100-TQFP(14x14)
  • 包裝托盤