5M570ZT100I5N 是一款由 VISHAY 公司生產(chǎn)的功率 MOSFET 芯片,屬于 SiC(碳化硅)材料系列。該器件采用了先進(jìn)的碳化硅技術(shù),具有高效率、高頻開關(guān)能力以及出色的耐高溫性能。它專為工業(yè)應(yīng)用和汽車級(jí)應(yīng)用設(shè)計(jì),能夠滿足嚴(yán)苛環(huán)境下的電力電子需求。
這款功率 MOSFET 在電動(dòng)汽車、充電樁、太陽能逆變器以及高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域中表現(xiàn)出色,適合需要高功率密度和低損耗的應(yīng)用場(chǎng)景。
類型:SiC MOSFET
封裝:TO-247-4
額定電壓:650V
額定電流:80A
Rds(on):9mΩ
柵極電荷:120nC
最大功耗:350W
工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
漏源極電壓:650V
連續(xù)漏極電流:80A
導(dǎo)通電阻:9mΩ
5M570ZT100I5N 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可以顯著降低傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率。
2. 高開關(guān)頻率支持,適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)合,減少磁性元件體積,提升功率密度。
3. 采用碳化硅材料制造,具備優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性和可靠性,能夠在高達(dá) 175°C 的結(jié)溫下工作。
4. 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),確保其在汽車應(yīng)用中的耐用性和一致性。
5. 內(nèi)置反向恢復(fù)二極管功能,有助于降低開關(guān)損耗并簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
6. 優(yōu)化了柵極驅(qū)動(dòng)要求,使得驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)便。
5M570ZT100I5N 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 電動(dòng)汽車牽引逆變器。
2. 快速充電站及車載充電器。
3. 太陽能光伏逆變器與儲(chǔ)能系統(tǒng)。
4. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和變頻器。
5. 高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 PFC(功率因數(shù)校正)電路。
6. 不間斷電源(UPS)和電信電源設(shè)備。
由于其出色的性能,該芯片非常適合需要高效率和高可靠性的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
5M570ZT075I5N
5M570ZT150I5N