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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > 5M570ZT100I5N

5M570ZT100I5N 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 21:51:35 查看 閱讀�27

5M570ZT100I5N 是一款由 VISHAY 公司生產(chǎn)的功� MOSFET 芯片,屬� SiC(碳化硅)材料系�。該器件采用了先�(jìn)的碳化硅技�(shù),具有高效率、高頻開�(guān)能力以及出色的耐高溫性能。它專為工業(yè)�(yīng)用和汽車�(jí)�(yīng)用設(shè)�(jì),能夠滿足嚴(yán)苛環(huán)境下的電力電子需��
  這款功率 MOSFET 在電�(dòng)汽車、充電樁、太陽能逆變器以及高� DC-DC �(zhuǎn)換器等領(lǐng)域中表現(xiàn)出色,適合需要高功率密度和低損耗的�(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

類型:SiC MOSFET
  封裝:TO-247-4
  額定電壓�650V
  額定電流�80A
  Rds(on)�9mΩ
  柵極電荷�120nC
  最大功耗:350W
  工作溫度范圍�-55� to +175�
  漏源極電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�80A
  �(dǎo)通電阻:9mΩ

特�

5M570ZT100I5N 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可以顯著降低傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 高開�(guān)頻率支持,適用于高頻�(yīng)用場(chǎng)合,減少磁性元件體�,提升功率密��
  3. 采用碳化硅材料制造,具備�(yōu)秀的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在高達(dá) 175°C 的結(jié)溫下工作�
  4. 符合 AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn),確保其在汽車應(yīng)用中的耐用性和一致��
  5. �(nèi)置反向恢�(fù)二極管功�,有助于降低開關(guān)損耗并�(jiǎn)化電路設(shè)�(jì)�
  6. �(yōu)化了柵極�(qū)�(dòng)要求,使得驅(qū)�(dòng)�(shè)�(jì)更加�(jiǎn)��

�(yīng)�

5M570ZT100I5N 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 電動(dòng)汽車牽引逆變��
  2. 快速充電站及車載充電器�
  3. 太陽能光伏逆變器與�(chǔ)能系�(tǒng)�
  4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和變頻器�
  5. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器� PFC(功率因�(shù)校正)電路�
  6. 不間斷電源(UPS)和電信電源�(shè)��
  由于其出色的性能,該芯片非常適合需要高效率和高可靠性的功率�(zhuǎn)換應(yīng)��

替代型號(hào)

5M570ZT075I5N
  5M570ZT150I5N

5m570zt100i5n推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

5m570zt100i5n參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊Max V Overview
  • 特色�(chǎn)�MAX? V CPLDs
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝90
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭嵌入� - CPLD(復(fù)雜可編程邏輯器件�
  • 系列MAX® V
  • 可編程類�系統(tǒng)�(nèi)可編�
  • 最大延遲時(shí)� tpd(1)9.0ns
  • 電壓電源 - �(nèi)�1.71 V ~ 1.89 V
  • 邏輯元件/邏輯塊數(shù)�570
  • 宏單元數(shù)440
  • 門�(shù)-
  • 輸入/輸出�(shù)74
  • 工作溫度-40°C ~ 100°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼100-TQFP
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�100-TQFP�14x14�
  • 包裝托盤