5M570ZT100I5N 是一款由 VISHAY 公司生產(chǎn)的功� MOSFET 芯片,屬� SiC(碳化硅)材料系�。該器件采用了先�(jìn)的碳化硅技�(shù),具有高效率、高頻開�(guān)能力以及出色的耐高溫性能。它專為工業(yè)�(yīng)用和汽車�(jí)�(yīng)用設(shè)�(jì),能夠滿足嚴(yán)苛環(huán)境下的電力電子需��
這款功率 MOSFET 在電�(dòng)汽車、充電樁、太陽能逆變器以及高� DC-DC �(zhuǎn)換器等領(lǐng)域中表現(xiàn)出色,適合需要高功率密度和低損耗的�(yīng)用場(chǎng)��
類型:SiC MOSFET
封裝:TO-247-4
額定電壓�650V
額定電流�80A
Rds(on)�9mΩ
柵極電荷�120nC
最大功耗:350W
工作溫度范圍�-55� to +175�
漏源極電壓:650V
連續(xù)漏極電流�80A
�(dǎo)通電阻:9mΩ
5M570ZT100I5N 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可以顯著降低傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高開�(guān)頻率支持,適用于高頻�(yīng)用場(chǎng)合,減少磁性元件體�,提升功率密��
3. 采用碳化硅材料制造,具備�(yōu)秀的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在高達(dá) 175°C 的結(jié)溫下工作�
4. 符合 AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn),確保其在汽車應(yīng)用中的耐用性和一致��
5. �(nèi)置反向恢�(fù)二極管功�,有助于降低開關(guān)損耗并�(jiǎn)化電路設(shè)�(jì)�
6. �(yōu)化了柵極�(qū)�(dòng)要求,使得驅(qū)�(dòng)�(shè)�(jì)更加�(jiǎn)��
5M570ZT100I5N 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 電動(dòng)汽車牽引逆變��
2. 快速充電站及車載充電器�
3. 太陽能光伏逆變器與�(chǔ)能系�(tǒng)�
4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和變頻器�
5. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器� PFC(功率因�(shù)校正)電路�
6. 不間斷電源(UPS)和電信電源�(shè)��
由于其出色的性能,該芯片非常適合需要高效率和高可靠性的功率�(zhuǎn)換應(yīng)��
5M570ZT075I5N
5M570ZT150I5N