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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > 5M80ZT100C5N

5M80ZT100C5N 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 12:12:31 查看 閱讀�22

5M80ZT100C5N 是一款高性能的功� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),專為高效率、低損耗的�(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種電力電子�(zhuǎn)換場(chǎng)��
  這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件,廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等�(duì)功率密度要求較高的領(lǐng)域�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�80A
  �(dǎo)通電阻:3.5mΩ
  柵極電荷�25nC
  �(kāi)�(guān)速度:超�
  封裝形式:TO-247

特�

5M80ZT100C5N 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)):該器件在典型工作條件下具有僅 3.5mΩ 的導(dǎo)通電�,從而顯著降低導(dǎo)通損耗�
  2. 高效�(kāi)�(guān)性能:其快速的�(kāi)�(guān)速度和較小的柵極電荷(Qg=25nC)使其適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)��
  3. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):由于采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),該器件具備良好的散熱性能,能夠承受較高功率密度的工作條件�
  4. 可靠性高:經(jīng)�(guò)�(yán)格的�(zhì)量控制和�(cè)試流�,確保在各種惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行�
  5. 寬工作溫度范圍:支持� -55°C � +175°C 的結(jié)溫范�,滿足工�(yè)和汽車級(jí)�(yīng)用需��

�(yīng)�

5M80ZT100C5N 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):作為主開(kāi)�(guān)器件,用� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于驅(qū)�(dòng)直流�(wú)刷電�(jī)(BLDC�、步�(jìn)電機(jī)等�
  3. 逆變器:在光伏逆變�、UPS 不間斷電源等�(shè)備中作為功率�(kāi)�(guān)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化:用作�(fù)載切換或保護(hù)電路中的�(guān)鍵元��
  5. 汽車電子:如電動(dòng)助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)(EPS�、電池管理系�(tǒng)(BMS)等�

替代型號(hào)

5M80ZT100C3N, IRF840, STP80NF10

5m80zt100c5n推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

5m80zt100c5n參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊Max V Overview
  • 特色�(chǎn)�MAX? V CPLDs
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝90
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭嵌入� - CPLD(復(fù)雜可編程邏輯器件�
  • 系列MAX® V
  • 可編程類�系統(tǒng)�(nèi)可編�
  • 最大延遲時(shí)� tpd(1)7.5ns
  • 電壓電源 - �(nèi)�1.71 V ~ 1.89 V
  • 邏輯元件/邏輯塊數(shù)�80
  • 宏單元數(shù)64
  • 門(mén)�(shù)-
  • 輸入/輸出�(shù)79
  • 工作溫度0°C ~ 85°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼100-TQFP
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�100-TQFP�14x14�
  • 包裝托盤(pán)
  • 其它名稱544-2718