時間：2025/5/8 18:18:32
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60N03是一款N溝道增強型功率MOSFET，適用于中等功率應用。該器件具有低導通電阻和高開關速度的特點，廣泛用于電源管理、電機驅動、DC-DC轉換器等領域。其封裝形式通常為TO-220或DPAK，能夠提供出色的熱性能和電氣性能。
最大漏源電壓：60V
最大柵源電壓：±20V
持續(xù)漏極電流：3A
導通電阻（Rds(on)）：45mΩ
總功耗：80W
工作結溫范圍：-55℃至150℃
60N03具有以下主要特性：
1. 極低的導通電阻，有助于降低傳導損耗。
2. 快速開關速度，適合高頻應用。
3. 高雪崩擊穿能力，提升可靠性。
4. 小尺寸封裝，便于電路板布局。
5. 符合RoHS標準，環(huán)保無鉛設計。
這些特點使其在多種電子應用中表現(xiàn)出色，特別是在需要高效能和小體積的場合。
60N03適用于以下典型應用場景：
1. 開關電源中的同步整流器。
2. DC-DC轉換器的主開關元件。
3. 電池保護電路中的負載開關。
4. 電機驅動電路中的功率級元件。
5. 各類消費類電子產品中的電源管理模塊。
由于其低導通電阻和快速開關能力，這款MOSFET特別適合需要高效率和緊湊設計的場合。
60N03L, IRFZ44N, FDP5570
