6EDL04I06NTXUMA1家族-第二代是全橋驅(qū)動(dòng)器,用于控制三相系統(tǒng)中的mos晶體管或igbt等功率器件,最大阻塞電壓為+600 V。所采用的soi技術(shù)對(duì)暫態(tài)電壓具有良好的堅(jiān)固性。該器件中不存在寄生晶閘管結(jié)構(gòu)。因此,在所有溫度和電壓條件下都不會(huì)發(fā)生寄生閉鎖。六個(gè)獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)器被控制在低側(cè)使用CMOS響應(yīng)。
LSTTL兼容信號(hào),低至3.3 V邏輯。該裝置包括具有遲滯特性的欠壓檢測(cè)單元和過(guò)流檢測(cè)。過(guò)流電平是通過(guò)選擇電阻值和引腳ITRIP的閾值電平來(lái)調(diào)整的。這兩種錯(cuò)誤條件(欠壓和過(guò)流)導(dǎo)致所有6個(gè)開(kāi)關(guān)明確關(guān)閉。在FAULT開(kāi)漏輸出引腳處提供一個(gè)錯(cuò)誤信號(hào)。過(guò)流后的阻塞時(shí)間可通過(guò)引腳RCIN上的rc網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行調(diào)整。輸入RCIN擁有一個(gè)2.8μA的內(nèi)部電流源。
因此,電阻RRCIN是可選的。典型的輸出電流可以給出165 mA的上拉和375 mA的下拉。由于系統(tǒng)安全原因,實(shí)現(xiàn)了310ns的聯(lián)鎖時(shí)間。輸入EN的功能可以選擇擴(kuò)展超溫檢測(cè),使用外部ntcretransistor。引腳VCC和VBx之間的單片集成bootstrap二極管結(jié)構(gòu)可用于高側(cè)電源。
英飛凌薄膜soi技術(shù)
最大阻塞電壓+ 600v
輸出源/匯電流+0.165 A/-0.375 A
集成超快速、低RDS(ON)引導(dǎo)二極管
*電橋輸出對(duì)負(fù)不敏感
soittechnology提供的瞬態(tài)電壓可達(dá)- 50v
六個(gè)驅(qū)動(dòng)器都有獨(dú)立的控制電路
·過(guò)流、欠壓檢測(cè)
外部可編程延遲故障清除后
過(guò)電流檢測(cè)
“關(guān)閉”錯(cuò)誤條件下的所有開(kāi)關(guān)
CMOS和LSTTL兼容輸入(負(fù)邏輯)
各相信號(hào)聯(lián)鎖,防止交叉?zhèn)鲗?dǎo)
家用電器
感應(yīng)加熱
電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)
不間斷電源(UPS)
太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案
工業(yè)加熱和焊接
3D打印機(jī)
電動(dòng)工具
商品分類(lèi) | 柵極驅(qū)動(dòng)IC | 品牌 | Infineon(英飛凌) |
封裝 | PG-DSO-28-17 | 電壓-供電 | 13V~17.5V |
工作溫度 | -40°C~125°C(TJ) | 安裝類(lèi)型 | 表面貼裝型 |
基本產(chǎn)品編號(hào) | 6EDL04 | HTSUS | 8542.39.0001 |
驅(qū)動(dòng)配置 | 半橋 | 通道類(lèi)型 | 3相 |
驅(qū)動(dòng)器數(shù) | 6 | 柵極類(lèi)型 | IGBT,N溝道,P溝道MOSFET |
邏輯電壓-VIL,VIH | 1.1V,1.7V | 電流-峰值輸出(灌入,拉出) | - |
輸入類(lèi)型 | 非反相 | 上升/下降時(shí)間(典型值) | 60ns,26ns |
高壓側(cè)電壓-最大值(自舉) | 600V | 產(chǎn)品應(yīng)用 | 汽車(chē)級(jí) |
RoHS狀態(tài) | 符合ROHS3規(guī)范 | 濕氣敏感性等級(jí)(MSL) | 3(168小時(shí)) |
REACH狀態(tài) | 非REACH產(chǎn)品 | ECCN | EAR99 |
6EDL04I06NTXUMA1原理圖
6EDL04I06NTXUMA1引腳圖
6EDL04I06NTXUMA1封裝