7N65AF是一種高性能的MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),主要應用于高頻開關電路、電源管理模塊和功率轉換器等場景。該器件采用先進的制造工�,具備低導通電阻和快速開關特�,能夠有效降低功耗并提高效率�
7N65AF屬于N溝道增強型MOSFET,其高擊穿電壓和較低的柵極電荷使其非常適合用于各種高效能的電力電子應用中�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�4.3A
導通電阻:1.8Ω
柵極電荷�35nC
輸入電容�920pF
總電容:1650pF
工作溫度范圍�-55℃至+150�
7N65AF具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力,支持高�650V的漏源電��
2. 極低的導通電阻(Rds(on)�,在特定條件下可降至1.8Ω,從而減少導通損��
3. 快速開關速度,得益于較小的柵極電荷和�(yōu)化的內部結構設計�
4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在寬溫范圍內保持穩(wěn)定性能�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且適用于多種工�(yè)領域�
7N65AF廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS�
2. 電機驅動和控�
3. 逆變器和不間斷電源(UPS�
4. LED驅動�
5. 工業(yè)自動化設備中的功率轉換模�
6. 充電器和其他消費類電子產品中的高頻功率切換電�
7N65E, IRF650N, STP45NF06L