時間：2025/5/21 17:29:00
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81C25G-Q-AE3-5-R 是一款高速、低功耗的 CMOS 靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM），廣泛應(yīng)用于需要高性能數(shù)據(jù)緩存和臨時存儲的場景。該器件具有快速訪問時間、高可靠性以及較低的功耗特點，適用于通信設(shè)備、工業(yè)控制、醫(yī)療儀器以及其他對速度和穩(wěn)定性要求較高的領(lǐng)域。
容量：2 Mbit
組織方式：262,144 x 8
內(nèi)核電壓：1.7 V 至 1.9 V
I/O 電壓：1.7 V 至 1.9 V
訪問時間：5 ns
工作溫度范圍：-40°C 至 +125°C
封裝形式：TQFP-48
引腳數(shù)：48
81C25G-Q-AE3-5-R 是一種高速 SRAM 芯片，其主要特性包括：
1. 快速訪問時間：支持高達 5 ns 的訪問速度，可滿足高性能處理器的數(shù)據(jù)需求。
2. 低功耗設(shè)計：采用先進的 CMOS 工藝制造，能夠顯著降低運行時的能耗，非常適合對能效敏感的應(yīng)用。
3. 廣泛的工作溫度范圍：支持從 -40°C 到 +125°C 的工業(yè)級溫度范圍，確保在極端環(huán)境下的穩(wěn)定性能。
4. 高可靠性：通過多種測試和驗證流程，保證長期使用的可靠性和耐用性。
5. 小型封裝：采用 TQFP-48 封裝形式，便于集成到緊湊型設(shè)計中。
這款 SRAM 芯片適用于以下場景：
1. 數(shù)據(jù)緩存：用于網(wǎng)絡(luò)交換機、路由器等通信設(shè)備中的數(shù)據(jù)暫存與加速。
2. 實時處理：在工業(yè)自動化設(shè)備、醫(yī)療器械等領(lǐng)域中提供高速數(shù)據(jù)緩沖功能。
3. 嵌入式系統(tǒng)：作為微控制器或 DSP 的外部存儲擴展，提升整體系統(tǒng)的性能。
4. 游戲和娛樂設(shè)備：為圖形渲染和其他高性能任務(wù)提供臨時存儲支持。
81C25G-Q-AE3-7-R
81C25G-Q-AE3-10-R
MT4C1024A-10J
CY7C1024V33-10LC
