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81C25G-Q-AE3-5-R 發(fā)布時間 時間�2025/5/21 17:29:00 查看 閱讀�21

81C25G-Q-AE3-5-R 是一款高�、低功耗的 CMOS 靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM�,廣泛應(yīng)用于需要高性能�(shù)�(jù)緩存和臨時存儲的場景。該器件具有快速訪問時�、高可靠性以及較低的功耗特點,適用于通信�(shè)�、工�(yè)控制、醫(yī)療儀器以及其他對速度和穩(wěn)定性要求較高的�(lǐng)域�

參數(shù)

容量�2 Mbit
  組織方式�262,144 x 8
  �(nèi)核電壓:1.7 V � 1.9 V
  I/O 電壓�1.7 V � 1.9 V
  訪問時間�5 ns
  工作溫度范圍�-40°C � +125°C
  封裝形式:TQFP-48
  引腳�(shù)�48

特�

81C25G-Q-AE3-5-R 是一種高� SRAM 芯片,其主要特性包括:
  1. 快速訪問時間:支持高達 5 ns 的訪問速度,可滿足高性能處理器的�(shù)�(jù)需求�
  2. 低功耗設(shè)計:采用先進的 CMOS 工藝制�,能夠顯著降低運行時的能�,非常適合對能效敏感的應(yīng)��
  3. 廣泛的工作溫度范圍:支持� -40°C � +125°C 的工�(yè)級溫度范�,確保在極端�(huán)境下的穩(wěn)定性能�
  4. 高可靠性:通過多種測試和驗證流�,保證長期使用的可靠性和耐用��
  5. 小型封裝:采� TQFP-48 封裝形式,便于集成到緊湊型設(shè)計中�

�(yīng)�

這款 SRAM 芯片適用于以下場景:
  1. �(shù)�(jù)緩存:用于網(wǎng)�(luò)交換機、路由器等通信�(shè)備中的數(shù)�(jù)暫存與加��
  2. 實時處理:在工業(yè)自動化設(shè)�、醫(yī)療器械等�(lǐng)域中提供高速數(shù)�(jù)緩沖功能�
  3. 嵌入式系�(tǒng):作為微控制器或 DSP 的外部存儲擴�,提升整體系�(tǒng)的性能�
  4. 游戲和娛樂設(shè)備:為圖形渲染和其他高性能任務(wù)提供臨時存儲支持�

替代型號

81C25G-Q-AE3-7-R
  81C25G-Q-AE3-10-R
  MT4C1024A-10J
  CY7C1024V33-10LC

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