8M05BG是一種高性能的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提高系統(tǒng)效率并降低能耗。
8M05BG屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,其耐壓范圍為80V,非常適合中低壓應(yīng)用環(huán)境。此外,該產(chǎn)品采用小型化封裝設(shè)計(jì),有助于節(jié)省電路板空間,同時(shí)支持高頻率工作需求。
最大漏源電壓:80V
連續(xù)漏極電流:5.4A
導(dǎo)通電阻:3.5mΩ
柵極電荷:15nC
輸入電容:1250pF
總電容:320pF
反向傳輸電容:70pF
開(kāi)關(guān)時(shí)間:典型值6ns
工作結(jié)溫范圍:-55℃至150℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))可減少功率損耗,提高整體效率。
2. 快速開(kāi)關(guān)性能使其適用于高頻電路設(shè)計(jì),減少電磁干擾問(wèn)題。
3. 具有良好的熱穩(wěn)定性,在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 小型化的封裝形式減少了PCB布局難度,適合緊湊型設(shè)計(jì)。
5. 高可靠性設(shè)計(jì)確保長(zhǎng)期使用中的穩(wěn)定性和安全性。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
5. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品的電源管理模塊
6. LED驅(qū)動(dòng)電路
7. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制單元
IRF540N
FDP5500
AO3400