8M05BG 時(shí)間：2025/5/13 10:26:02 閱讀：24

8M05BG是一種高性能的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)，能夠顯著提高系統(tǒng)效率并降低能耗。
　　8M05BG屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET，其耐壓范圍為80V，非常適合中低壓應(yīng)用環(huán)境。此外，該產(chǎn)品采用小型化封裝設(shè)計(jì)，有助于節(jié)省電路板空間，同時(shí)支持高頻率工作需求。

參數(shù)

最大漏源電壓：80V
　　連續(xù)漏極電流：5.4A
　　導(dǎo)通電阻：3.5mΩ
　　柵極電荷：15nC
　　輸入電容：1250pF
　　總電容：320pF
　　反向傳輸電容：70pF
　　開(kāi)關(guān)時(shí)間：典型值6ns
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃至150℃

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)）可減少功率損耗，提高整體效率。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)性能使其適用于高頻電路設(shè)計(jì)，減少電磁干擾問(wèn)題。
　　3. 具有良好的熱穩(wěn)定性，在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
　　4. 小型化的封裝形式減少了PCB布局難度，適合緊湊型設(shè)計(jì)。
　　5. 高可靠性設(shè)計(jì)確保長(zhǎng)期使用中的穩(wěn)定性和安全性。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。

應(yīng)用

1. 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制
　　4. 電池管理系統(tǒng)（BMS）
　　5. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品的電源管理模塊
　　6. LED驅(qū)動(dòng)電路
　　7. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制單元