8N65是一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要用于高頻開�(guān)和功率放大等�(yīng)�。該器件具有較低的導(dǎo)通電�、快速的開關(guān)速度以及較高的電流承載能�,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)��
8N65屬于高電壓MOSFET系列,能夠承受較高的漏源電壓,同�(shí)具備良好的熱�(wěn)定性和可靠性。其封裝形式通常為TO-220或TO-252,便于散熱和安裝�
最大漏源電壓:650V
最大漏極電流:8A
柵源電壓:�20V
�(dǎo)通電阻:3.5Ω
功耗:115W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
8N65具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 高耐壓性能:能夠承受高�(dá)650V的漏源電壓,適合高壓�(huán)境下的應(yīng)��
2. 較低的導(dǎo)通電阻:在同類產(chǎn)品中�3.5Ω的導(dǎo)通電阻有助于減少傳導(dǎo)損��
3. 快速開�(guān)速度:由于其�(nèi)部結(jié)�(gòu)�(yōu)�,開�(guān)�(shí)間短,適合高頻應(yīng)用�
4. 良好的熱�(wěn)定性:即使在高溫環(huán)境下也能保持�(wěn)定的性能�
5. 封裝形式多樣化:支持TO-220等多種常見封裝,方便用戶選擇最適合的設(shè)�(jì)方案�
6. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格的�(zhì)量測(cè)試,適用于工�(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)電子�(chǎn)��
8N65的應(yīng)用領(lǐng)域包括但不限于以下方面:
1. 開關(guān)電源(SMPS):作為主開�(guān)管用于AC-DC和DC-DC�(zhuǎn)換器��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):控制直流電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)的速度和方��
3. 逆變器:在太陽能逆變器和其他類型的逆變器中用作功率開關(guān)�
4. 電磁閥驅(qū)�(dòng):用于工�(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電磁閥控制�
5. LED�(qū)�(dòng):提供高效的LED照明�(qū)�(dòng)解決方案�
6. 電池保護(hù)電路:防止過�、過放和短路等情況發(fā)生�
7. 其他需要高頻開�(guān)和功率處理能力的�(chǎng)��
IRF840, BUZ11