90N03是一款N溝道增強型MOSFET(場效應晶體管),主要應用于低電壓、小功率場景。該器件具有較低的導通電阻和較快的開關速度,適合用于電源管�、電機驅動以及負載開關等應用領域�
該MOSFET采用SOT-23封裝形式,具有較小的體積和良好的散熱性能,便于在空間受限的電路設計中使用�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±20V
漏極電流�1.2A
導通電阻:0.75Ω(典型�,在Vgs=4.5V時)
功耗:340mW
工作溫度范圍�-55℃至+150�
90N03具有以下顯著特性:
1. 低導通電阻使得其在導通狀�(tài)下能夠減少功耗并提高效率�
2. 較高的開關速度使其適合高頻應用�
3. SOT-23封裝使其易于安裝,并適用于對空間要求較高的場合�
4. 寬泛的工作溫度范圍使其能夠在多種�(huán)境條件下�(wěn)定運��
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全可靠�
90N03廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源和DC-DC轉換器中的開關元��
2. 各類電池供電設備中的負載開關�
3. 小功率電機驅動控��
4. 保護電路如過流保護或短路保護�
5. 消費類電子產品及便攜式設備中的電源管理模��
AO3400
IRLML6401
FDC6360C