A1010BVQG80C 是一款高性能的汽�(chē)�(jí)功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)�(guān)和負(fù)載驅(qū)�(dòng)�(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的溝槽式MOSFET技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電�、高效率和出色的熱性能。其�(shè)�(jì)符合�(yán)格的汽車(chē)電子�(biāo)�(zhǔn)(如AEC-Q101),適用于各種嚴(yán)苛的工作�(huán)��
這款功率MOSFET特別適合需要高電流處理能力和快速開(kāi)�(guān)速度的應(yīng)用場(chǎng)�,例如直流電�(jī)�(qū)�(dòng)、LED照明、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電池管理系統(tǒng)��
�(lèi)型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
最大漏源電壓VDS�60V
最大柵源電壓VGS:�20V
連續(xù)漏極電流ID�90A
�(dǎo)通電阻RDS(on)�1.2mΩ(典型值,VGS=10V�
總功耗Ptot�170W
�(jié)溫范圍Tj�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247-3
A1010BVQG80C 的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電�,這使得它在高電流�(yīng)用中能夠顯著減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
此外,該器件還具備以下特�(diǎn)�
1. 快速開(kāi)�(guān)速度:降低開(kāi)�(guān)損�,提升高頻應(yīng)用中的性能�
2. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性:即使在高溫環(huán)境下也能保持�(wěn)定的電氣性能�
3. 高雪崩能力:提供更強(qiáng)的過(guò)載保�(hù)功能�
4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn):環(huán)保且�(mǎn)足全球法�(guī)要求�
5. 可靠性高:通過(guò)了嚴(yán)格的AEC-Q101�(rèn)證測(cè)試流程,確保�(zhǎng)期使用的可靠��
這些特性使其成為汽�(chē)電子�(lǐng)域以及其他高可靠性需求場(chǎng)景的理想選擇�
A1010BVQG80C 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 汽車(chē)電子系統(tǒng):包括發(fā)�(dòng)�(jī)控制單元、變速器控制、ABS制動(dòng)系統(tǒng)、電�(dòng)助力�(zhuǎn)向等�
2. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:用于�(qū)�(dòng)步�(jìn)電機(jī)、伺服電�(jī)和其他類(lèi)型的工業(yè)電機(jī)�
3. 電源管理模塊:例如DC-DC�(zhuǎn)換器、AC-DC適配器、不間斷電源(UPS)等�
4. 照明控制:如大功率LED燈驅(qū)�(dòng)電路�
5. 電池管理:支持鋰電池組保�(hù)和平衡功��
由于其卓越的性能和高可靠�,這款MOSFET非常適合需要高效能量轉(zhuǎn)換和精確�(fù)載控制的�(yīng)用場(chǎng)景�
A1010BVQG80D, IRF840, FDP55N06L