A1010BVQG80C 是一款高性能的汽車(chē)級(jí)功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)關(guān)和負(fù)載驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的溝槽式MOSFET技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻、高效率和出色的熱性能。其設(shè)計(jì)符合嚴(yán)格的汽車(chē)電子標(biāo)準(zhǔn)(如AEC-Q101),適用于各種嚴(yán)苛的工作環(huán)境。
這款功率MOSFET特別適合需要高電流處理能力和快速開(kāi)關(guān)速度的應(yīng)用場(chǎng)景,例如直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED照明、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池管理系統(tǒng)等。
類(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型 MOSFET
最大漏源電壓VDS:60V
最大柵源電壓VGS:±20V
連續(xù)漏極電流ID:90A
導(dǎo)通電阻RDS(on):1.2mΩ(典型值,VGS=10V)
總功耗Ptot:170W
結(jié)溫范圍Tj:-55°C 至 +175°C
封裝形式:TO-247-3
A1010BVQG80C 的主要特點(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻,這使得它在高電流應(yīng)用中能夠顯著減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
此外,該器件還具備以下特點(diǎn):
1. 快速開(kāi)關(guān)速度:降低開(kāi)關(guān)損耗,提升高頻應(yīng)用中的性能。
2. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性:即使在高溫環(huán)境下也能保持穩(wěn)定的電氣性能。
3. 高雪崩能力:提供更強(qiáng)的過(guò)載保護(hù)功能。
4. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn):環(huán)保且滿(mǎn)足全球法規(guī)要求。
5. 可靠性高:通過(guò)了嚴(yán)格的AEC-Q101認(rèn)證測(cè)試流程,確保長(zhǎng)期使用的可靠性。
這些特性使其成為汽車(chē)電子領(lǐng)域以及其他高可靠性需求場(chǎng)景的理想選擇。
A1010BVQG80C 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 汽車(chē)電子系統(tǒng):包括發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元、變速器控制、ABS制動(dòng)系統(tǒng)、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向等。
2. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:用于驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)、伺服電機(jī)和其他類(lèi)型的工業(yè)電機(jī)。
3. 電源管理模塊:例如DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC適配器、不間斷電源(UPS)等。
4. 照明控制:如大功率LED燈驅(qū)動(dòng)電路。
5. 電池管理:支持鋰電池組保護(hù)和平衡功能。
由于其卓越的性能和高可靠性,這款MOSFET非常適合需要高效能量轉(zhuǎn)換和精確負(fù)載控制的應(yīng)用場(chǎng)景。
A1010BVQG80D, IRF840, FDP55N06L