A1020B1PQ100I是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、高頻開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)��
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)�,支持高�(cè)或低�(cè)開關(guān)操作,能夠承受較高的漏源電壓,并具備�(yōu)秀的熱性能和電氣性能�
型號(hào):A1020B1PQ100I
類型:N溝道功率MOSFET
最大漏源電�(Vds)�100V
最大柵源電�(Vgs):�20V
持續(xù)漏極電流(Id)�20A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�3.5mΩ
總柵極電�(Qg)�60nC
輸入電容(Ciss)�1500pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:PQFN
A1020B1PQ100I具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于減少�(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度,使得其非常適合高頻開關(guān)�(yīng)�,例如開�(guān)電源和逆變��
3. 高雪崩能量能力,確保在異常條件下(如短路)仍能可靠運(yùn)��
4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子設(shè)備的�(shè)�(jì)需��
5. 小型化封裝,節(jié)省PCB空間,同�(shí)提供出色的散熱性能�
6. 廣泛的工作溫度范�,適�(yīng)多種�(huán)境下的應(yīng)用需求�
該芯片適用于以下�(yīng)用場(chǎng)景:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開�(guān)��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器及升�/降壓模塊中的功率開關(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,特別是需要高效率和快速動(dòng)�(tài)響應(yīng)的場(chǎng)��
4. 汽車電子中的�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
5. 太陽(yáng)能逆變器及其他可再生能源系�(tǒng)的功率級(jí)組件�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理和�(qū)�(dòng)控制部分�
A1020B1PQ120I
A1020B1TO100I
IRF1405ZPBF