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A1020B1PQ100I 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/20 21:22:08 查看 閱讀:18

A1020B1PQ100I是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、高頻開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。
  這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型,支持高側(cè)或低側(cè)開關(guān)操作,能夠承受較高的漏源電壓,并具備優(yōu)秀的熱性能和電氣性能。

參數(shù)

型號(hào):A1020B1PQ100I
  類型:N溝道功率MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):100V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  持續(xù)漏極電流(Id):20A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5mΩ
  總柵極電荷(Qg):60nC
  輸入電容(Ciss):1500pF
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:PQFN

特性

A1020B1PQ100I具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于減少導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。
  2. 快速的開關(guān)速度,使得其非常適合高頻開關(guān)應(yīng)用,例如開關(guān)電源和逆變器。
  3. 高雪崩能量能力,確保在異常條件下(如短路)仍能可靠運(yùn)行。
  4. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適合現(xiàn)代電子設(shè)備的設(shè)計(jì)需求。
  5. 小型化封裝,節(jié)省PCB空間,同時(shí)提供出色的散熱性能。
  6. 廣泛的工作溫度范圍,適應(yīng)多種環(huán)境下的應(yīng)用需求。

應(yīng)用

該芯片適用于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)管。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器及升壓/降壓模塊中的功率開關(guān)。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,特別是需要高效率和快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)的場(chǎng)景。
  4. 汽車電子中的負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
  5. 太陽(yáng)能逆變器及其他可再生能源系統(tǒng)的功率級(jí)組件。
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理和驅(qū)動(dòng)控制部分。

替代型號(hào)

A1020B1PQ120I
  A1020B1TO100I
  IRF1405ZPBF

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