A60L0R4BT200T是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等電力電子�(lǐng)�。該芯片采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)的整體性能�
該器件屬于N溝道增強型MOSFET,適用于高頻開關(guān)�(yīng)用,其優(yōu)化的封裝�(shè)計有助于提升散熱性能和可靠��
型號:A60L0R4BT200T
類型:N溝道功率MOSFET
最大漏源電�(Vds)�100V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�30A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ(典型�,Vgs=10V�
總柵極電�(Qg)�75nC
輸入電容(Ciss)�3000pF
輸出電容(Coss)�95pF
工作溫度范圍�-55℃至+175�
A60L0R4BT200T采用了最新的超結(jié)技�(shù),實�(xiàn)了極低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)化的開關(guān)性能�
1. 高效節(jié)能:低導(dǎo)通電阻可顯著減少�(dǎo)通損耗,從而提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān):較小的柵極電荷和輸出電容使得該MOSFET能夠在高頻條件下高效運行�
3. 耐熱性佳:芯片具備出色的熱穩(wěn)定性和耐用�,能夠在極端溫度�(huán)境下可靠工作�
4. 強大的過流能力:高達30A的最大連續(xù)漏極電流使其適合高功率應(yīng)用�
5. 小型化封裝:�(yōu)化的封裝�(shè)計不僅節(jié)省空�,還能有效改善散熱性能�
A60L0R4BT200T主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):用于AC-DC和DC-DC�(zhuǎn)換電路中,提供高效的功率�(zhuǎn)換�
2. 電機�(qū)動:適用于各類電機控制場�,如家用電器、工�(yè)�(shè)備中的無刷直流電機驅(qū)��
3. 充電器:為便攜式電子�(shè)備設(shè)計快速充電解決方案�
4. 逆變器:在太陽能逆變器和其他電力�(zhuǎn)換裝置中起到�(guān)鍵作��
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS):保護鋰電池組免受過�、過放及短路損害�
6. LED�(qū)動:用于大功率LED照明系統(tǒng)的恒流或恒壓控制�
A60L0R4BT200S, IRFZ44N, FDP55N06