AC1210JKNPOBBN182 是一款高性能� N 溝道增強� MOSFET,屬于安森美(ON Semiconductor)推出的 Advanced Class 系列。該系列 MOSFET 針對高效�、低功耗應(yīng)用進行了優(yōu)化設(shè)計,廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載開�(guān)等場景�
這款器件采用了先進的制造工�,具有極低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,從而顯著提升了系統(tǒng)的整體性能。其封裝形式� TO-252 (DPAK),支持表面貼裝技�(shù) (SMT),適合自動化生產(chǎn)�
型號:AC1210JKNPOBBN182
類型:N溝道增強型MOSFET
Vds(漏源極擊穿電壓):100V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�16mΩ @ Vgs=10V
Id(連續(xù)漏極電流):30A
Qg(總柵極電荷):30nC
Eoss(輸出電容能量)�90nJ
Pd(功率耗散):125W
封裝:TO-252 (DPAK)
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
AC1210JKNPOBBN182 的主要特點是低導(dǎo)通電阻和高效率,同時具備以下�(yōu)勢:
1. 極低� Rds(on) 值(16mΩ�,能夠有效減少傳�(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)性能,適用于高頻開關(guān)�(yīng)��
3. 較高� Vds 額定值(100V�,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運��
4. 支持大電流操作(Id=30A�,滿足高功率需求�
5. 采用 DPAK 封裝,具有良好的散熱性能和機械強度�
6. 寬工作溫度范圍(-55°C � +175°C�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
此外,該器件還具備較低的柵極電荷 Qg 和輸出電容能� Eoss,進一步降低了開關(guān)損耗�
AC1210JKNPOBBN182 廣泛�(yīng)用于需要高效能功率�(zhuǎn)換的場合,具體包括:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率級開關(guān)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率器��
3. 電機�(qū)動電路中的功率開�(guān)�
4. 各類負載開關(guān)和保護電��
5. 通信�(shè)�、工�(yè)控制及消費電子中的功率管理模塊�
由于其出色的電氣性能和可靠�,該器件特別適合要求高效率和緊湊�(shè)計的�(yīng)用場��
AC1210JKN, IRFZ44N, FDP55N10