ACT-S128K32N-070P7EQ 是一款由 Adesto Technologies 提供的串行 NOR Flash 存儲(chǔ)芯片,屬于 CBRAM(Conductive Bridging RAM)系列。該芯片具有低功耗、快速讀取和高耐久性等特性,適用于需要頻繁數(shù)據(jù)寫入和長時(shí)間存儲(chǔ)的應(yīng)用場景。它采用了 SPI 接口進(jìn)行通信,并支持標(biāo)準(zhǔn) SPI、雙 I/O SPI 和四線 SPI 模式以實(shí)現(xiàn)更高的傳輸速率。
CBRAM 技術(shù)使得該芯片具備卓越的抗干擾性能和較低的工作電壓,從而成為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、消費(fèi)電子以及工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域的理想選擇。
容量:128K x 32 (4MB)
接口類型:SPI
工作電壓:1.7V 至 3.6V
工作溫度范圍:-40°C 至 +125°C
封裝形式:WLCSP (7mm x 7mm)
數(shù)據(jù)保存時(shí)間:超過 10 年
擦寫次數(shù):高達(dá) 10^6 次
讀取速度:最高 104MHz (在 QSPI 模式下)
待機(jī)功耗:低于 1μA
這款芯片采用 CBRAM 技術(shù),相比傳統(tǒng) NAND 或 NOR Flash,具備更快的寫入速度和更低的能耗。此外,ACT-S128K32N-070P7EQ 支持多種 SPI 操作模式,可靈活適配不同的硬件平臺(tái)。其寬泛的工作溫度范圍使其能夠勝任惡劣環(huán)境下的應(yīng)用需求。
芯片還內(nèi)置了保護(hù)機(jī)制,如自動(dòng)頁面寫入中止保護(hù)和電源掉電檢測功能,進(jìn)一步增強(qiáng)了數(shù)據(jù)的可靠性。同時(shí),它支持即插即用配置,無需額外的初始化操作,簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)流程。
由于其低功耗特點(diǎn),該芯片非常適合電池供電的設(shè)備,例如智能儀表、可穿戴設(shè)備和無線傳感器節(jié)點(diǎn)等。
ACT-S128K32N-070P7EQ 主要應(yīng)用于需要高可靠性和低功耗存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)域,包括但不限于:
- 物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的固件存儲(chǔ)
- 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的數(shù)據(jù)記錄
- 工業(yè)自動(dòng)化中的實(shí)時(shí)控制參數(shù)存儲(chǔ)
- 醫(yī)療設(shè)備中的患者數(shù)據(jù)記錄
- 車載系統(tǒng)中的日志存儲(chǔ)
此外,它也可以用于備份存儲(chǔ)或作為嵌入式系統(tǒng)的啟動(dòng)代碼存放介質(zhì)。
AT25DF321B, MX25L3206E