ACT-SF128K16N-026P7Q 時(shí)間：2025/5/15 16:33:13 閱讀：20

ACT-SF128K16N-026P7Q 是一款由 Adesto Technologies 提供的非易失性存儲(chǔ)器芯片，屬于 CBRAM（Conductive Bridging RAM）系列。該芯片采用先進(jìn)的銅離子導(dǎo)電橋接技術(shù)，具備超低功耗和快速寫入性能，非常適合電池供電設(shè)備以及需要頻繁數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　該器件提供了 16Mbit 的存儲(chǔ)容量，組織形式為 128K x 16 位結(jié)構(gòu)，采用標(biāo)準(zhǔn) SPI 接口進(jìn)行通信，支持高達(dá) 50MHz 的工作頻率。其獨(dú)特的存儲(chǔ)技術(shù)確保了數(shù)據(jù)的長(zhǎng)期保存能力，并且在讀寫操作中幾乎無延遲。

參數(shù)

存儲(chǔ)容量：16Mbit
　　存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)：128K x 16
　　接口類型：SPI
　　工作電壓：1.7V 至 3.6V
　　工作頻率：最高 50MHz
　　封裝形式：WLCSP (7x7mm)
　　工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
　　擦寫次數(shù)：高達(dá) 10^6 次
　　數(shù)據(jù)保持時(shí)間：超過 10 年

特性

1. 極低功耗：待機(jī)電流小于 1uA，活動(dòng)模式下的功耗也遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)閃存技術(shù)。
　　2. 快速寫入：CBRAM 技術(shù)使得寫入速度比普通 EEPROM 或閃存快得多。
　　3. 高可靠性：即使在高頻率使用環(huán)境下，也能保證數(shù)據(jù)的完整性和一致性。
　　4. 小型封裝：WLCSP 封裝使其適用于空間受限的設(shè)計(jì)。
　　5. 寬工作電壓范圍：兼容多種電源環(huán)境，適合各種便攜式或嵌入式應(yīng)用。
　　6. 耐用性強(qiáng)：支持高達(dá) 10^6 次的擦寫周期，滿足工業(yè)級(jí)需求。

應(yīng)用

ACT-SF128K16N-026P7Q 主要應(yīng)用于需要高性能、低功耗存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)域，例如物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、可穿戴電子設(shè)備、工業(yè)控制模塊、醫(yī)療監(jiān)測(cè)儀器、智能家居產(chǎn)品以及其他便攜式電子產(chǎn)品。
　　此外，由于其出色的可靠性和耐用性，它還被廣泛用于需要頻繁數(shù)據(jù)記錄和長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的系統(tǒng)，如數(shù)據(jù)記錄儀、黑匣子和邊緣計(jì)算節(jié)點(diǎn)等。