ACT-SF128K16N-026P7Q 是一款由 Adesto Technologies 提供的非易失性存儲(chǔ)器芯片,屬于 CBRAM(Conductive Bridging RAM)系列。該芯片采用先進(jìn)的銅離子導(dǎo)電橋接技術(shù),具備超低功耗和快速寫入性能,非常適合電池供電設(shè)備以及需要頻繁數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用場(chǎng)景。
該器件提供了 16Mbit 的存儲(chǔ)容量,組織形式為 128K x 16 位結(jié)構(gòu),采用標(biāo)準(zhǔn) SPI 接口進(jìn)行通信,支持高達(dá) 50MHz 的工作頻率。其獨(dú)特的存儲(chǔ)技術(shù)確保了數(shù)據(jù)的長(zhǎng)期保存能力,并且在讀寫操作中幾乎無延遲。
存儲(chǔ)容量:16Mbit
存儲(chǔ)結(jié)構(gòu):128K x 16
接口類型:SPI
工作電壓:1.7V 至 3.6V
工作頻率:最高 50MHz
封裝形式:WLCSP (7x7mm)
工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
擦寫次數(shù):高達(dá) 10^6 次
數(shù)據(jù)保持時(shí)間:超過 10 年
1. 極低功耗:待機(jī)電流小于 1uA,活動(dòng)模式下的功耗也遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)閃存技術(shù)。
2. 快速寫入:CBRAM 技術(shù)使得寫入速度比普通 EEPROM 或閃存快得多。
3. 高可靠性:即使在高頻率使用環(huán)境下,也能保證數(shù)據(jù)的完整性和一致性。
4. 小型封裝:WLCSP 封裝使其適用于空間受限的設(shè)計(jì)。
5. 寬工作電壓范圍:兼容多種電源環(huán)境,適合各種便攜式或嵌入式應(yīng)用。
6. 耐用性強(qiáng):支持高達(dá) 10^6 次的擦寫周期,滿足工業(yè)級(jí)需求。
ACT-SF128K16N-026P7Q 主要應(yīng)用于需要高性能、低功耗存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)域,例如物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、可穿戴電子設(shè)備、工業(yè)控制模塊、醫(yī)療監(jiān)測(cè)儀器、智能家居產(chǎn)品以及其他便攜式電子產(chǎn)品。
此外,由于其出色的可靠性和耐用性,它還被廣泛用于需要頻繁數(shù)據(jù)記錄和長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的系統(tǒng),如數(shù)據(jù)記錄儀、黑匣子和邊緣計(jì)算節(jié)點(diǎn)等。
AT28C256, MX25L1606E