ADESDALC10N5VU是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高性能電子�(kāi)�(guān)器件,主要用于高�、高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù)和增�(qiáng)型GaN晶體管設(shè)�(jì),能夠在高頻率下�(shí)�(xiàn)低損耗和高效率的能量�(zhuǎn)換�
這款芯片適合用于DC-DC�(zhuǎn)換器、電源適配器、無(wú)線充電設(shè)備以及各�(lèi)工業(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的功率管理電��
型號(hào):ADESDALC10N5VU
額定電壓�650V
額定電流�10A
�(dǎo)通電阻:100mΩ
柵極電荷�25nC
�(kāi)�(guān)速度:支持高�(dá)3MHz的工作頻�
封裝形式:TO-247-3L
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
ADESDALC10N5VU的主要特�(diǎn)是其出色的高頻性能和低�(dǎo)通電�。通過(guò)采用增強(qiáng)型GaN技�(shù),該器件能夠顯著降低�(kāi)�(guān)損�,并提供更高的功率密�。此�,其�(nèi)置的保護(hù)功能包括�(guò)流保�(hù)、過(guò)溫保�(hù)�,提升了系統(tǒng)的可靠性和安全��
由于GaN材料具有寬禁帶和高電子遷移率的特�(diǎn),該器件在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色,同�(shí)減少了磁性元件的體積和重�,非常適合便攜式�(shè)備的電源�(shè)�(jì)�
另外,ADESDALC10N5VU具備較低的寄生電感和電容,這�(jìn)一步降低了電磁干擾(EMI)的可能性,�(jiǎn)化了濾波器的�(shè)�(jì)要求�
ADESDALC10N5VU廣泛�(yīng)用于需要高效能功率�(zhuǎn)換的�(chǎng)�,包括但不限于:
1. 服務(wù)器和通信�(shè)備中的高效DC-DC�(zhuǎn)換器
2. 筆記本電腦和智能手機(jī)的快充適配器
3. 工業(yè)�(jí)電源供應(yīng)單元(PSU�
4. �(wú)線充電發(fā)射端和接收端模塊
5. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的高頻逆變�
6. 光伏微逆變器和能量回收系統(tǒng)
由于其卓越的性能,ADESDALC10N5VU特別適用于追求小型化、輕量化和高效率的功率轉(zhuǎn)換方��
ADESDALC12N5VU, ADESDALC8N5VU