AFGHL75T65SQ 是一款基于硅 carbide(SiC)技�(shù)� MOSFET 功率晶體�,廣泛應(yīng)用于高頻、高效率功率�(zhuǎn)換場�。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)頻率特性,適用于工�(yè)電源、電動汽車充電設(shè)�、光伏逆變器等�(lǐng)��
該型號采用了 TO-247 封裝形式,便于散熱管�,同時具備良好的電氣性能和可靠��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�75A
�(dǎo)通電阻:3.8mΩ
柵極電荷�125nC
開關(guān)頻率:高� 1MHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
AFGHL75T65SQ 提供了卓越的熱性能與電氣性能。其采用 SiC 技�(shù)制�,相比傳�(tǒng)硅基 MOSFET 具有更低的開�(guān)損耗和更高的能量密��
此外,該器件還支持更高的�(jié)溫操�,確保在極端�(huán)境下的可靠運�。低柵極電荷�(shè)計使其能�?qū)崿F(xiàn)快速開�(guān),從而提升系�(tǒng)效率�
它也集成了內(nèi)置二極管功能,進一步優(yōu)化了電路�(shè)計并減少了外部元件的需�。這些特點共同使得 AFGHL75T65SQ 成為高效功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
該器件適用于多種高要求的�(yīng)用領(lǐng)�,包括但不限于:
1. 工業(yè)電源供應(yīng)�
2. 不間斷電源(UPS�
3. 電動汽車充電�
4. 太陽能逆變�
5. 電機�(qū)動器
6. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器
由于其出色的效率和高頻性能,AFGHL75T65SQ 特別適合需要高性能功率�(zhuǎn)換的場合�
C2M0080120D
FGL75T65SQ