AIES12U02AG1 是一款高性能、低損耗的碳化� (SiC) MOSFET 芯片,專為高功率密度和高頻應用設�。該器件采用先進的碳化硅技�(shù)制�,具有卓越的開關性能和導通特性。其額定電壓� 1200V,適用于各種工業(yè)、汽車及可再生能源領域中的高效功率轉(zhuǎn)換系�(tǒng)�
這款芯片通過�(yōu)化柵極驅(qū)動設�,能夠顯著降低開關損�,并具備出色的熱�(wěn)定性和可靠性。此�,AIES12U02AG1 還支持快速開關頻率,有助于縮小無源元件尺寸并提高整體系統(tǒng)的效��
額定電壓�1200V
額定電流�2A
Rds(on)(最大值)�80mΩ
柵極電荷(Qg):40nC
輸入電容(Ciss):1350pF
輸出電容(Coss):120pF
反向恢復時間(trr):60ns
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
1. 基于碳化硅材料,具備高耐壓能力和低導通電��
2. 支持高頻操作,減少磁性元件體�,提升功率密��
3. 快速開關速度,顯著降低開關損��
4. 極低的反向恢復電�,適合硬開關和軟開關拓撲�
5. 寬溫度范圍內(nèi)的優(yōu)異性能和可靠�,適用于嚴苛�(huán)境�
6. 小型化封�,便于集成到緊湊型設計中�
1. 太陽能逆變器中� DC/DC � DC/AC �(zhuǎn)換模��
2. 電動汽車 (EV) 充電樁及車載充電��
3. 工業(yè)電機�(qū)動和變頻器控制�
4. 高頻 DC/DC �(zhuǎn)換器和功率因�(shù)校正 (PFC) 電路�
5. 不間斷電� (UPS) 和儲能系�(tǒng)�
6. 高效電源適配器和其他消費類電子設備的電源管理部分�
AIES12U02BG1
AIES12U04AG1