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AIKQ120N60CT 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/3/25 10:59:56 查看 閱讀:44

AIKQ120N60CT 是一款由安森美(onsemi)生產(chǎn)的高壓功率MOSFET,采用N溝道增強(qiáng)型設(shè)計(jì)。這款器件主要適用于高電壓和大電流應(yīng)用場合,其耐壓能力高達(dá)600V,能夠承受較大的漏源電壓。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),從而提升效率并減少發(fā)熱。此外,AIKQ120N60CT還具備出色的開關(guān)性能,適合在各種工業(yè)和消費(fèi)類電子設(shè)備中使用。
  由于其堅(jiān)固的設(shè)計(jì)和高可靠性,這款芯片廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器以及各類開關(guān)模式電源(SMPS)領(lǐng)域。AIKQ120N60CT的封裝形式為TO-247-3,這種封裝不僅散熱性能良好,而且便于安裝與維護(hù)。

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流:120A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.8mΩ(典型值,在Vgs=10V時(shí))
  柵極電荷:185nC(典型值)
  輸入電容:3350pF(典型值)
  功耗:144W
  工作結(jié)溫范圍:-55℃至175℃

特性

AIKQ120N60CT具有以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力,額定漏源電壓為600V,確保在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
  2. 極低的導(dǎo)通電阻,典型值僅為1.8mΩ,可顯著降低傳導(dǎo)損耗。
  3. 支持大電流操作,連續(xù)漏極電流可達(dá)120A,滿足高功率應(yīng)用需求。
  4. 快速開關(guān)性能,低柵極電荷和輸入電容有效減少了開關(guān)損耗。
  5. 寬泛的工作溫度范圍(-55℃至175℃),適應(yīng)多種環(huán)境條件。
  6. TO-247-3封裝提供良好的散熱性能和電氣連接可靠性。

應(yīng)用

AIKQ120N60CT因其優(yōu)異的性能和可靠性,被廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
  2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)及控制電路。
  3. 不間斷電源(UPS)陽能逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換設(shè)備。
  5. 電動(dòng)汽車充電器和電池管理系統(tǒng)。
  6. 各種需要高電壓、大電流處理能力的電力電子設(shè)備。

替代型號

AIOK120N60CT, FCH093N65S3, IRFP260N

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