AIKQ120N60CT 是一款由安森美(onsemi)生�(chǎn)的高壓功率MOSFET,采用N溝道增強(qiáng)型設(shè)�(jì)。這款器件主要適用于高電壓和大電流�(yīng)用場合,其耐壓能力高達(dá)600V,能夠承受較大的漏源電壓。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,從而提升效率并減少�(fā)熱。此�,AIKQ120N60CT還具備出色的開關(guān)性能,適合在各種工業(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)備中使用�
由于其堅(jiān)固的�(shè)�(jì)和高可靠�,這款芯片廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器以及各類開�(guān)模式電源(SMPS)領(lǐng)�。AIKQ120N60CT的封裝形式為TO-247-3,這種封裝不僅散熱性能良好,而且便于安裝與維�(hù)�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�120A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.8mΩ(典型值,在Vgs=10V�(shí)�
柵極電荷�185nC(典型值)
輸入電容�3350pF(典型值)
功耗:144W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
AIKQ120N60CT具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力,額定漏源電壓為600V,確保在高電壓環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
2. 極低的導(dǎo)通電�,典型值僅�1.8mΩ,可顯著降低傳導(dǎo)損��
3. 支持大電流操�,連續(xù)漏極電流可達(dá)120A,滿足高功率�(yīng)用需��
4. 快速開�(guān)性能,低柵極電荷和輸入電容有效減少了開關(guān)損��
5. 寬泛的工作溫度范圍(-55℃至175℃),適�(yīng)多種�(huán)境條��
6. TO-247-3封裝提供良好的散熱性能和電氣連接可靠��
AIKQ120N60CT因其�(yōu)異的性能和可靠性,被廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換模��
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)及控制電��
3. 不間斷電源(UPS)陽能逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換設(shè)��
5. 電動(dòng)汽車充電器和電池管理系統(tǒng)�
6. 各種需要高電壓、大電流處理能力的電力電子設(shè)��
AIOK120N60CT, FCH093N65S3, IRFP260N