AO4468是一款N溝道功率MOSFET,具有低電阻、低電壓漏電�、高通道電流等特�(diǎn)。它采用了先�(jìn)的Trench MOSFET工藝,具有優(yōu)異的性能和可靠性,廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、LED�(qū)�(dòng)等領(lǐng)��
AO4468是一種N溝道功率MOSFET,主要用于開�(guān)電路�。它的操作原理是通過控制輸入信號(hào)的電�,來控制MOSFET的導(dǎo)通和截止。當(dāng)輸入信號(hào)為高電平�(shí),MOSFET�(dǎo)�,將電路連接;當(dāng)輸入信號(hào)為低電平�(shí),MOSFET截止,將電路斷開。通過不斷改變輸入信號(hào)的電平,可以控制電路的開�(guān),從而實(shí)�(xiàn)�(duì)電路的控��
AO4468由多�(gè)部分組成,包括漏極、柵極和源極。其�,漏極是MOSFET的輸出端,負(fù)�(zé)與電路連接;柵極是MOSFET的控制端,負(fù)�(zé)控制MOSFET的導(dǎo)通和截止;源極是MOSFET的輸入端,負(fù)�(zé)接收電路輸入信號(hào)。在MOSFET�(nèi)部,漏極和源極之間有一段N型溝�,溝道兩�(cè)是P型區(qū)域,P型區(qū)域和柵極之間有一層氧化層。在正常工作狀�(tài)�,通過控制柵極的電�,可以改變溝道的�(dǎo)電�,從而控制MOSFET的導(dǎo)通和截止�
1、額定電壓:30V
2、額定電流:9A
3、靜�(tài)電阻�6.5mΩ
4、最大功耗:2.5W
5、封裝形式:SOIC-8
1、低電阻:采用Trench MOSFET工藝,具有低電阻特�,能夠提供更高的電流輸出�
2、低電壓漏電流:具有�(yōu)異的開關(guān)特性,能夠降低漏電�,提高轉(zhuǎn)換效率�
3、高通道電流:具有高通道電流特�,能夠承受大電流�(fù)��
4、低靜態(tài)功耗:具有低靜�(tài)功耗特�,能夠節(jié)省能��
5、高溫性能:具有優(yōu)異的高溫性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定工��
AO4468是一款N溝道功率MOSFET,主要用于開�(guān)電路。當(dāng)輸入信號(hào)為高電平�(shí),MOSFET�(dǎo)�,輸出信�(hào)為低電平;當(dāng)輸入信號(hào)為低電平�(shí),MOSFET截止,輸出信�(hào)為高電平。通過改變輸入信號(hào)的電平來控制MOSFET的導(dǎo)通和截止,實(shí)�(xiàn)�(duì)電路的控��
1、電源管理:用于DC-DC變換器、穩(wěn)壓器等電源管理電路中,控制電路的開關(guān)�
2、電�(jī)�(qū)�(dòng):用于電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�,控制電�(jī)的啟停和�(zhuǎn)��
3、LED�(qū)�(dòng):用于LED�(qū)�(dòng)電路�,控制LED的亮滅和亮度�